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本发明公开了In‑Sn‑Sb相变材料、相变存储器及In‑Sn‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述In‑Sn‑Sb相变材料为由In，Sb，Sn元素组成的化学通式为In...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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