一种半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体封装，其包括一半导体芯片，其中包含：一主动面，其上有传导垫；在主动面上方的电镀金-锡(Au-Sn)合金凸块；以及(玻璃)基板，其包括与电镀金-锡合金凸块电耦合的导线，其中电镀金-锡合金凸块具有重量百分比约Au0.85Sn0.15至约Au0.75Sn0.25的组成成分，从接近所述主动面的一端均匀分布至接近基板的一端。本发明专利技术还提供了一种制造半导体封装的方法，包括：在半导体芯片的主动面上形成传导垫的图案；在传导垫上方电镀金-锡合金凸块；以及藉由回焊程序或热压程序，将半导体芯片接合在基板上相对应的导线上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于金-锡(Au-Sn)合金凸块以及使用金-锡合金凸块的半导体结构。
技术介绍
随着近来电子产业的进步，电子组件已经具有高性能的表现，因而产生微缩化、高密度化的封装需求。据此，连接IC与主板的连接端子必须以更高密度进行封装。封装技术的高密度发展是由于集成电路(IC)的输出入端(I/O)数目增加、而连接端子的接合方法亦变得更有效率所致。覆晶接合技术是目前已普及的连结技术当中的一项。覆晶接合技术在现行的集成电路(IC)的制造趋势流程的发展，主要受到几个因素影响。第一，当使用传统金属丝连接技术，其相关的寄生电感降低时，半导体装置的电子性能可以再提升。其次，相较于金属丝连接技术，覆晶接合封装可在芯片与封装之间提供更高的互连密度。第三，覆晶接合技术所占用的硅芯片有效使用面积较少，因而有助于节省硅面积与降低组件成本。第四，当同步接合(gang-bonding)取代连续个别接合步骤时，可降低制造成本及电性接合时间。为了能降低接合端子的尺寸与其间距，因此在覆晶接合技术中利用金属凸块取代早期连结用焊球，特别是藉由改良过的线球技术所产生的金属凸块。典型的作法乃是将该金属凸块形成在半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其包括：半导体芯片，其包含具有传导垫于其上的主动面；电镀金‑锡(Au‑Sn)合金凸块，其位于所述主动面上方；以及基板，其包括与所述电镀金‑锡合金凸块电性耦合的导线，其中所述电镀金‑锡合金凸块具有重量百分比约Au0.85Sn0.15至约Au0.75Sn0.25的组成成分，从接近所述主动面的一端均匀分布至接近所述基板的一端。

【技术特征摘要】
2015.04.17 US 14/689,4911.一种半导体封装，其包括：半导体芯片，其包含具有传导垫于其上的主动面；电镀金-锡(Au-Sn)合金凸块，其位于所述主动面上方；以及基板，其包括与所述电镀金-锡合金凸块电性耦合的导线，其中所述电镀金-锡合金凸块具有重量百分比约Au0.85Sn0.15至约Au0.75Sn0.25的组成成分，从接近所述主动面的一端均匀分布至接近所述基板的一端。2.如权利要求1所述的半导体封装，还包括位于所述电镀金-锡合金凸块与所述传导垫之间的传导柱。3.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述电镀金-锡合金凸块的高度是在约7微米至约31微米的范围内。4.如权利要求1所述的半导体封装，其中一介金属化合物位于所述传导柱与所述电镀金-锡合金凸块之间。5.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述传导垫是电极，并且所述电镀金-锡合金凸块是位于所述电极与所述导线之间。6.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体芯片是发光二极管。7.如权利要求6所述的半导体封装，其中所述传导垫是p型电极，另一传导垫是n型电极，所述电镀金-锡合金凸块是位于所述p型电极与所述导线之间，并且另一电镀金-锡凸块是在所述n型电极与所述导线之间。8.如权利要求7所述的半导体封装，其中所述两个电镀金-锡合金凸块的高度是在约3微米至约10微米的范围内，所述两个电镀金-锡合金凸块的宽度是在200至600微米的范围内，以及所述两个电镀金-锡合金凸块的长度是在500至1500微米的范围内。9.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体封装是覆晶薄膜封装。10.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体封装是玻璃上芯片封装。11.一种半导体封装，其包括：半导体芯片，其包含具有传导垫于其上的主动面；电镀金-锡合金凸块，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢东宝，王恒生，徐子涵，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71