透明化合物半导体及其P型掺杂方法技术

本发明专利技术涉及P型掺杂透明化合物半导体及用于其的P型掺杂方法，其目的是提供基于(Ba,Sr)SnO3或SnO2经由P型掺杂后具有透明性和导电性的透明化合物半导体。本发明专利技术提供具有掺杂有M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na或Rb中的一种)的(Ba,Sr)SnO3或SnO2的P型透明化合物半导体，以及用于其的P型掺杂方法。取代(Ba,Sr)SnO3或SnO2中包含的(Ba,Sr)和Sn的M具有0＜x≤0.7的组成。(Ba,Sr)SnO3是指Ba1-ySrySnO3(0≤y≤1.0)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利
本专利技术涉及透明化合物半导体及其制备方法，更确切地说，涉及具有透明性和导电性的P型掺杂透明化合物半导体及其P型掺杂的方法。专利技术背景目前，信息和通信技术的一个趋势是将电子器件功能和显示器件功能融合。为了融合电子器件功能和显示器件功能，电子器件应当是透明的。因此，积极进行了对以下的研究：执行电子器件功能的同时满足透明性的透明半导体，透明导体，及其制备方法。例如，氧化铟锡(ITO)作为透明导体开发并应用，以及开发了ZnO等。然而，稳定性降低并且因此用于透明半导体的可能性也十分地有限。专利技术概述技术问题本专利技术涉及提供具有透明性与导电性的P型掺杂透明化合物半导体及其制备方法。技术方案本专利技术一方面提供了P型掺杂透明化合物半导体，其具有掺杂M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na以及Rb中的一种)的(Ba,Sr)SnO3和SnO2之一，并且(Ba,Sr)SnO3是指Ba1-ySrySnO3(0≤y≤1.0)。P型掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
P型掺杂透明化合物半导体，其包含掺杂有M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na以及Rb中的一种)的(Ba,Sr)SnO3和SnO2之一，其中(Ba,Sr)SnO3是指Ba1‑ySrySnO3(0≤y≤1.0)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.29 KR 10-2013-00345631.P型掺杂透明化合物半导体，其包含掺杂有M(M是Ru、Ga、
Cu、Zn、K、Na以及Rb中的一种)的(Ba,Sr)SnO3和SnO2之一，
其中(Ba,Sr)SnO3是指Ba1-ySrySnO3(0≤y≤1.0)。
2.如权利要求1所述的P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成
(Ba,Sr)Sn1-xMxO3(0<x≤0.7)，
其中M是Ru、Ga、Cu和Zn中的一种，并且(Ba,Sr)Sn1-xMxO3是
指Ba1-ySrySn1-xMxO3(0≤y≤1.0)。
3.如权利要求1所述的P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成
(Ba,Sr)1-xMxSnO3(0<x≤0.7)，
其中M是K、Na和Rb中的一种，并且(Ba,Sr)1-xMxSnO3是指
(Ba1-ySry)1-xMxSnO3(0≤y≤1.0)。
4.如权利要求1所述的P型掺杂透明化...

【专利技术属性】
技术研发人员：车国麟，任志淳，
申请(专利权)人：瑞福龙株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR