质子传导体制造技术

一种具有组成式AaB1-xB’xO3-δ所示的钙钛矿型晶体结构的质子传导体，其中，A元素为碱土金属，表示该元素的组成比率的a值为0.4＜a＜0.9的范围，B’元素为3价的3族和13族元素，表示该元素的组成比率的x值为0.2＜x＜0.6的范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】质子传导体
本专利技术涉及质子传导体。
技术介绍
在质子传导性固体电解质之中，关于以组成式AB1-xB’xO3-δ所示的钙钛矿型质子传导性氧化物已有大量的报导。此处，A为碱土金属，B为4价的4族过渡金属元素、作为4价的镧系元素的Ce，B’为3价的3族或13族元素，O为氧。x为置换B元素的B’元素的组成比率，满足0＜x＜1.0。δ为表示氧缺失或氧过剩的值。关于钙钛矿结构的基本构成，之后边参照附图边进行简要说明。非专利文献1中公开了具有钙钛矿结构的氧化物。非专利文献1的氧化物为组成式BaZr1-xYxO3-δ或组成式BaCe1-xYxO3-δ的氧化物。此处，A为钡(Ba)，B为Zr或Ce，B’为Y的氧化物。另外，专利文献1中公开了具有钙钛矿结构的质子传导性膜。专利文献1的质子传导性膜为化学式AL1-XMXO3-α的质子传导性膜。A为碱土金属。L为选自铈、钛、锆和铪中的1种以上的元素。M为选自钕、镓、铝、钇、铟、镱、钪、钆、钐和镨中的1种以上的元素。此处，X为置换L元素的M元素的组成比率，α为氧缺失的原子比率。在专利文献1的质子传导性膜中，0.05＜X＜0.35，0.15＜α＜1.00。现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种质子传导体，其具有组成式AaB1‑xB’xO3‑δ所示的钙钛矿型晶体结构，其中，所述A为选自碱土金属的至少1种金属；所述B为4价的4族过渡金属或Ce；所述B’为3价的3族或13族元素；满足0.4＜a＜0.9且0.2＜x＜0.6。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.16 JP 2013-1472441.一种质子传导体，其具有组成式AaB1-xB’xO3-δ所示的钙钛矿型晶体结构，其中，所述A为选自Ba和Sr的至少1种元素；所述B为Zr；所述B’为Y或In；满足0.4＜a＜0.9且0.2＜x＜0.6；所述质子传导体由组成和晶体结构实质上均一的单相构成。2.如权利要求1所述的质子传导体，其中，所述a值为0.4＜a＜0.8的范围；所述x值为0.3＜x＜0.6的范围。3.如权利要求1所述的质子传导体，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱谷勇磁，西原孝史，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP