基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器及存储方法技术

本发明专利技术公开了一种基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器。其包括液晶层（1），液晶层（1）的上表面从下到上依次设有上PI取向层（2）、上ITO电极（3）、上玻璃基板（4），液晶层（1）的下表面从上到上依次设有下PI取向层（5）、下ITO电极（6）下玻璃基板（7），所述液晶层（1）的液晶为纳米棒状ZnO颗粒掺杂的胆甾相液晶，所述纳米棒状ZnO颗粒的直径为5-10nm，长度为30-50nm，掺杂浓度为重量百分比0.1%。本发明专利技术则对记录介质进行了改进，使用半导体杂质对胆甾相液晶进行掺杂来实现光折变功能，能够对光信号灵敏地响应并记录，并利用胆甾相液晶的双稳态畴来存储光信息。本发明专利技术还公开了一种采用如上所述的光存储器进行光信号存储的方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器，包括液晶层（1），液晶层（1）的上表面从下到上依次设有上PI取向层（2）、上ITO电极（3）、上玻璃基板（4），液晶层（1）的下表面从上到上依次设有下PI取向层（5）、下ITO电极（6）下玻璃基板（7），其特征在于：所述液晶层（1）的液晶为纳米棒状ZnO颗粒掺杂的胆甾相液晶，所述纳米棒状ZnO颗粒的直径为5?10nm，长度为30?50nm，掺杂浓度为重量百分比0.08%?0.15%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：项颖，徐鸣亚，刘忆琨，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：