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本发明涉及P型掺杂透明化合物半导体及用于其的P型掺杂方法，其目的是提供基于(Ba,Sr)SnO3或SnO2经由P型掺杂后具有透明性和导电性的透明化合物半导体。本发明提供具有掺杂有M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na或Rb中的一种)的(B...
该专利属于瑞福龙株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞福龙株式会社授权不得商用。

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