基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构，其结构为在衬底上沉积10-200组周期膜系，而周期膜系由重掺杂半导体薄膜层和氧化物薄膜层构成，此多层周期性膜系结构具有在红外特定波段吸收率达到99%的近完全吸收特性。本发明专利技术的优点是：工艺简单，成本低，偏正不敏感，角度不敏感，可控性好，协调性高，可大面积生长，纳米加工技术成熟；该发明专利技术制备了红外波段近完全吸收多层周期性膜系，在探测器，空间分辨等领域有广阔应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构，其结构为在衬底（1）上沉积多组周期膜系（2），其特征在于：所述的基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构为在衬底（1）上沉积10?200组周期膜系（2）；所述的衬底（1）采用半导体晶片，玻璃或者金属；所述周期膜系（2）由重掺杂半导体薄膜层（2?1）和氧化物薄膜层（2?2）构成；重掺杂半导体薄膜层（2?1）是重掺杂铝氧化锌，重掺杂镓氧化锌或者重掺杂铟氧化钛重掺杂宽禁带半导体薄膜，其载流子浓度为1019?1021cm?3，薄膜厚度为20nm?200nm；氧化物薄膜（2?2）是氧化锌、氧化铝、氧化钛或氧化硅薄膜，薄膜厚度为5nm?200nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张云，陈鑫，孙艳，魏调兴，董文静，黄婵燕，张克难，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
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