生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓冲层、In0.17～0.19Ga0.81～0.83As缓冲层、In0.26～0.28Ga0.72～0.74As缓冲层和In0.32～0.34Ga0.66～0.68As缓冲层。本发明专利技术还公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜的制备方法。本发明专利技术简单易行，梯度缓冲层结构合理优化、经济、高效、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高，便于推广应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，其特征在于，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；所述InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓冲层、In0.17～0.19Ga0.81～0.83As缓冲层、In0.26～0.28Ga0.72～0.74As缓冲层和In0.32～0.34Ga0.66～0.68As缓冲层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，高芳亮，吴平平，李景灵，管云芳，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：