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本发明公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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