【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，所述发射极区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并位于所述半导体衬底的第一表面处；半导体区，所述半导体区直接位于所述半导体衬底的与所述第一表面相反的第二表面上，在所述半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，所述第一电极位于所述半导体衬底的第一表面上，并与所述发射极区相连接；以及第二电极，所述第二电极位于所述半导体衬底的第二表面上，并与所述半导体衬底相连接。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈承焕，金基修，尹银彗，黄有珠，李永贤，朴相昱，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。