用于提高选择器装置的结晶温度的多层结构制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及用于提高选择器装置的结晶温度的多层结构。在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含经安置于第一电极上的第一非晶切换结构。缓冲结构安置于所述第一非晶切换结构上。第二非晶切换结构安置于所述缓冲结构上。第二电极安置于所述第二非晶切换结构上，其中所述第一非晶切换结构及所述第二非晶切换结构经配置以取决于从所述第一电极到所述第二电极的电压是否超过阈值电压而切换于低电阻状态与高电阻状态之间。

Multilayer structure for increasing crystallization temperature of selector device

【技术实现步骤摘要】
用于提高选择器装置的结晶温度的多层结构
本专利技术实施例涉及用于提高选择器装置的结晶温度的多层结构及其形成方法。
技术介绍
诸多现代电子装置含有电子存储器。电子存储器可为易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在无电力的情况下存储数据，而易失性存储器不能在无电力的情况下存储数据。下一代电子存储器的一些实例包含电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁电阻随机存取存储器(MRAM)及导电桥接随机存取存储器(CBRAM)。在某下一代电子存储器中，选择器装置耦合到存储器单元以缓解与按比例缩小下一代电子存储器的特征大小相关联的负面效应(例如潜泄路径)。
技术实现思路
本专利技术的一实施例涉及一种半导体装置，其包括：第一非晶切换结构，其经安置于第一电极上；第一缓冲结构，其经安置于所述第一非晶切换结构上；第二非晶切换结构，其经安置于所述第一缓冲结构上；及第二电极，其经安置于所述第二非晶切换结构上，其中所述第一非晶切换结构及所述第二非晶切换结构经配置以取决于从所述第一电极到所述第二电极的电压是否超过阈值本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n第一非晶切换结构，其经安置于第一电极上；/n第一缓冲结构，其经安置于所述第一非晶切换结构上；/n第二非晶切换结构，其经安置于所述第一缓冲结构上；及/n第二电极，其经安置于所述第二非晶切换结构上，其中所述第一非晶切换结构及所述第二非晶切换结构经配置以取决于从所述第一电极到所述第二电极的电压是否超过阈值电压来切换于低电阻状态与高电阻状态之间。/n

【技术特征摘要】
20180702 US 16/025,0081.一种半导体装置，其包括：
第一非晶切换结构，其经安置于第一电极上；
第一缓冲结构，其经安置于所述第一非晶切换结构上；
第二非晶切...

【专利技术属性】
技术研发人员：金海光，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71