温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例涉及用于提高选择器装置的结晶温度的多层结构。在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含经安置于第一电极上的第一非晶切换结构。缓冲结构安置于所述第一非晶切换结构上。第二非晶切换结构安置于所述缓冲结构上。第二电极安置于所...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。