基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用技术

本发明专利技术公开了基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用。将烷基膦酸与MXene混合后离心处理，得到单层修饰MXene；将单层修饰MXene制备成膜，得到基于单层修饰MXene的电存储材料。与传统的器件相比，本发明专利技术中烷基膦酸修饰的单层MXene薄膜电存储器件的开启电压低，且不同阻态得到了很好区分。

Electrical memory materials based on single-layer modified mxene and its preparation method and application in the preparation of electrical memory devices

【技术实现步骤摘要】
基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用
本专利技术属于半导体材料
，涉及MXene材料的表面修饰方法，以及通过表面修饰方法制备的以MXene材料为活性层的柔性电存储器件。
技术介绍
近年来，随着信息的海量增长，传统的二进制存储器件已经不能满足对超高密度信息存储的需求。亟需设计结构简单，易于加工的器件，以及探索满足多进制信息存储的新材料。MXene由于具有大的比表面积，丰富的表面官能团，优良的电学性能而受到广泛的研究。但是其在多进制信息存储方面却几乎没有相关的研究，这大大阻碍了MXene应用领域，亟需探索其在多进制信息存储的性能。
技术实现思路
针对上述情况，本专利技术的目的旨在提供基于单层修饰的MXene的电存储材料的制备方法，以及通过该种方法制备的器件。与传统的器件相比，本专利技术中的MXene电存储器件的开启电压低，明显区分的不同阻态以及稳定的三进制性能，并且具有优良的柔性应用前景。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：单层修饰MXene在制备电存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单层修饰MXene在制备电存储材料或者电存储器件中的应用。/n

【技术特征摘要】
1.单层修饰MXene在制备电存储材料或者电存储器件中的应用。


2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，MXene为Ti3C2MXene；单层修饰MXene为烷基膦酸修饰MXene。


3.一种基于单层修饰MXene的电存储材料，其特征在于，所述基于单层修饰MXene的电存储材料的制备方法包括以下步骤，将单层修饰MXene制备成膜，得到基于单层修饰MXene的电存储材料。


4.根据权利要求1所述基于单层修饰MXene的电存储材料，其特征在于，MXene为Ti3C2MXene；单层修饰MXene为烷基膦酸修饰MXene；采用旋涂法将单层修饰MXene制备成膜。


5.一种基于单层修饰MXene的电存储器件，其特征在于，所述基于单层修饰MXene的电存储器件包括基于单层修饰MXene的电存储材料。


6.根据权利要求5所述基于单层修饰MXene的电存储器件，其特征在于，MXen...

【专利技术属性】
技术研发人员：路建美，贺竞辉，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32