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本发明公开了基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用。将烷基膦酸与MXene混合后离心处理，得到单层修饰MXene；将单层修饰MXene制备成膜，得到基于单层修饰MXene的电存储材料。与传统的器件相比，本发...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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