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实施方式的半导体存储装置具备：第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；电阻变化膜，设置在所述第1电极与第2电极之间，且包含选自锗、锑及碲中的至少1种元素；及第1层，设置在电阻变化膜的与第1方向交叉的第2方向的侧面，且包含构成电阻变化膜的至...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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