存储器器件制造技术

本公开的实施例涉及存储器器件。一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金的层的一部分形成由锗、锑和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。

Memory device

【技术实现步骤摘要】
存储器器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月8日提交的法国专利申请第1857389号的优先权，其内容在法律允许的最大范围内以引用方式全部并入本申请。
本公开总体上涉及存储器器件，更具体地，涉及包括由锗、锑和碲组成的相变合金的存储器。
技术介绍
相变材料是可以在热量的作用下在结晶相和非晶相之间切换的材料。由于非晶材料的电阻显著大于结晶材料的电阻，因此这种现象可用于定义有通过相变材料测得的电阻来区分的两种存储器状态(例如，0和1)。存储器中最常见的相变材料是由锗、锑和碲组成的合金。通常的相变存储器一般由锗、锑和碲的合金按化学计量比例制成，例如Ge2Sb2Te5。问题是这种合金对温度很敏感。具体地，它们的结晶温度太低而无法承受裸片焊接工艺的温度范围，特别是在汽车工业中。焊接温度将引起被编程数据的修改。
技术实现思路
一个实施例克服了已知相变存储器的全部或部分缺点。在一个实施例中，一种存储器器件包括：第一相变存储器单元；第二相变存储器单元；其中第一相变存储器单元包括由锗、锑和碲制成的第一合金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器器件，包括：/n绝缘层，包括与第一相变存储器单元相关联的第一电阻加热元件、以及与第二相变存储器单元相关联的第二电阻加热元件；/n层的堆叠，在所述第一电阻加热元件和所述第二电阻加热元件上方延伸，所述堆叠包括：/n第一层，由锗、锑和碲的第一合金制成；/n锗层，在由所述第一合金制成的所述第一层上方；以及/n第二层，在所述锗层上方，由第一合金制成；以及/n其中所述堆叠包括与所述第二电阻加热元件接触的区域，所述区域由锗、锑和碲的第二合金制成，其中所述第二合金具有比所述第一合金高的锗浓度。/n

【技术特征摘要】
20180808 FR 18573891.一种存储器器件，包括：
绝缘层，包括与第一相变存储器单元相关联的第一电阻加热元件、以及与第二相变存储器单元相关联的第二电阻加热元件；
层的堆叠，在所述第一电阻加热元件和所述第二电阻加热元件上方延伸，所述堆叠包括：
第一层，由锗、锑和碲的第一合金制成；
锗层，在由所述第一合金制成的所述第一层上方；以及
第二层，在所述锗层上方，由第一合金制成；以及
其中所述堆叠包括与所述第二电阻加热元件接触的区域，所述区域由锗、锑和碲的第二合金制成，其中所述第二合金具有比所述第一合金高的锗浓度。


2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述锗层具有与所述第一层中的每个第一层的厚度不同的厚度。


3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述锗层掺杂有氮。


4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第一合金由Ge2Sb2Te5制成。


5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第一层和所述第二层具有不同比例的锗、锑和碲。


6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第一电阻加热元件和第二电阻加热元件与所述堆叠的所述第一层接触。


7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第一相变存储器单元和所述第二相变存储器单元为由绝缘区域分离的相邻存储器单元。


8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述存储器器件是一次性可编程存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·G·卡佩莱蒂，G·纳瓦罗，
申请(专利权)人：法国原子能及替代能源委员会，意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR