【技术实现步骤摘要】
存储元件相关申请的交叉引用本申请要求法国专利申请号18/57391的优先权权益，其内容在此通过由法律可允许的最大程度而整体引用被并入。
本公开一般涉及存储元件，并且更具体地涉及相变存储元件。
技术介绍
相变材料是可以在热的作用下在结晶相和非晶相之间切换的材料。由于非晶材料的电阻显著大于晶体材料的电阻，因此这种现象可用于定义两个存储器状态(例如，0和1)，其由通过相变材料测量出的电阻区分。相变存储元件的尺寸减小，并且更特别地，相变材料层的厚度和相变材料的体积的减小可以致使结晶温度的增加和处于非晶相的材料的热稳定性的增加。存储元件中最常见的相变材料是由锗、锑和碲构成的合金。这种合金通常具有化学计量比例。具有非化学计量比例的合金可优于具有化学计量比例的合金，这是因为它们可以具有期望的特性，例如更高的结晶温度。然而，包括这种合金的存储元件的制造具有各种缺点。特别地，这种合金的结晶和/或相分离可能致使合金缺乏均匀性，这可能致使效率降低。
技术实现思路
一个实施例克服了已知存储元件的全
【技术保护点】
1.一种相变存储元件(100)，包括在第一部分(110)中的非晶层的堆叠(110)，所述堆叠中的每层的厚度小于或等于5nm，元件包括在所述堆叠(110)中的至少某些层处交叉的第二部分(112)，其由所述堆叠(110)中的层的组分中的至少一部分的合金制成。/n
【技术特征摘要】
20180808 FR 18/573911.一种相变存储元件(100)，包括在第一部分(110)中的非晶层的堆叠(110)，所述堆叠中的每层的厚度小于或等于5nm，元件包括在所述堆叠(110)中的至少某些层处交叉的第二部分(112)，其由所述堆叠(110)中的层的组分中的至少一部分的合金制成。
2.根据权利要求1所述的元件，其中，所述堆叠(110)包括由不同材料制成的至少两个层的集合。
3.根据权利要求1或2所述的元件，其中，所述堆叠(110)中的层由来自元素周期表的13、14、15和16族的化学元素或化学元素的合金制成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的元件，其中，所述堆叠(110)包括第一层和第二层的交替，所述第一层和所述第二层由不同材料制成。
5.根据权利要求4所述的元件，其中，所述第一层由锗、锑和碲构成的合金制成，并且所述第二层由锑或锗制成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的元件，其中，所述堆叠(110)中的每层的材料具有化学计量比例。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的元件，其中，所述第二部分(112)的材料的比例不是化学计量的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的元件，其中，所述第一部分(110...
【专利技术属性】
技术研发人员：加布里埃莱·纳瓦罗，马蒂厄·伯纳德，玛利亚克莱尔·西里尔，奇亚拉·萨比奥内，
申请(专利权)人：原子能与替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR
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