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本发明涉及一种相变存储元件，在第一部分中包括非晶层的堆叠，堆叠中的每层的厚度小于或等于5nm。...
该专利属于原子能与替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能与替代能源委员会授权不得商用。

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