BCE IGZO TFT器件及其制作方法技术

一种BCE IGZO TFT器件及其制作方法，其特征在于，包含提供一基板，沉积一第一金属层于所述基板上，所述第一金属层透过图案化工艺，形成一栅极和一第一电极层，沉积一栅极绝缘层于所述基板、所述栅极和所述第一电极层上，所述栅极绝缘层透过蚀刻工艺，去除所述第一电极层表面上部份的所述栅极绝缘层，沉积一有源层于所述第一电极层和所述栅极绝缘层上，所述有源层和所述第一电极层直接接触，沉积一第二金属层于所述有源层上，所述第二金属层透过图案化工艺，形成一源极、一漏极和一第二电极层。

BCE igzo TFT device and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
BCEIGZOTFT器件及其制作方法
本揭示涉及显示
，特别涉及一种BCEIGZOTFT器件其制作方法。
技术介绍
随着显示面板向着大尺寸/高分辨率/高频率方向发展，金属氧化物薄膜电晶体(ThinFilmTransistor,TFT)及其显示面板越来越受到业界的重视，其中铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)是目前业界采用最广泛的一种高迁移率有源层材料；而在目前IGZO面板的各种结构中，但由于IGZO材料易受到氢参杂产生大量载流子而变成导体，失去半导体特性，因此在IGZOTFT器件的制作过程中，必须采用氧化硅/氧化铝等氧化物绝缘层取代非晶硅薄膜晶体管生产中最常见的氮化硅绝缘层与半导体层接触。目前业界最常用的IGZOTFT阵列基板为背沟道蚀刻结构(BackChannelEtch，BCE)IGZOTFT，其常用的栅极绝缘层和保护层分别为氮化硅(在下)/氧化硅(在上)双层膜和氧化硅(在下)/氮化硅(在上)双层膜，由于这样的膜层结构导致其栅极绝缘层和保护层的蚀刻比较困难，因此在BCEIGZOTFT阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BCEIGZO TFT器件的制作方法，其特征在于，包含：/n提供一基板；/n沉积一第一金属层于所述基板上，所述第一金属层透过图案化工艺，形成一栅极和一第一电极层；/n沉积一栅极绝缘层于所述基板、所述栅极和所述第一电极层上；/n蚀刻所述第一电极层表面上部份的所述栅极绝缘层；/n沉积一有源层于所述第一电极层和所述栅极绝缘层上，所述有源层和所述第一电极层直接接触；/n沉积一第二金属层于所述有源层上，所述第二金属层透过图案化工艺，形成一源极、一漏极和一第二电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种BCEIGZOTFT器件的制作方法，其特征在于，包含：
提供一基板；
沉积一第一金属层于所述基板上，所述第一金属层透过图案化工艺，形成一栅极和一第一电极层；
沉积一栅极绝缘层于所述基板、所述栅极和所述第一电极层上；
蚀刻所述第一电极层表面上部份的所述栅极绝缘层；
沉积一有源层于所述第一电极层和所述栅极绝缘层上，所述有源层和所述第一电极层直接接触；
沉积一第二金属层于所述有源层上，所述第二金属层透过图案化工艺，形成一源极、一漏极和一第二电极层。


2.如权利要求1所述的BCEIGZOTFT器件的制作方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板或聚酰亚胺柔性基板，其厚度为0.01～10mm。


3.如权利要求1所述的BCEIGZOTFT器件的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层为氮化硅，氧化硅，氮氧化硅，氧化铝，氧化鉿绝缘化合物中的一种或多种组成的多层膜结构，其厚度为10～1000nm。


4.如权利要求1所述的BCEIGZOTFT器件的制作方法，其特征在于，所述有源层为IGZO，其厚度为5～200nm。


5.如权利要求1所述的BCEIGZOTFT器件的制作方法，其特征在于，所述栅极和第一电极层为Cu，Al，Mo，Nb，Ti金属或其形成的合金，或所述金属组成的多层膜结构，其厚度为10～1000nm。


6.如权利要求1所述的BCEIGZOTFT器件的制作方法，其特征在于，所述源极、漏极、第二电极层为Cu，Al，Mo，Nb，Ti...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44