一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：衬底；源极，漏极，其设置在所述衬底上；有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及栅电极，其设置在所述绝缘层上方。本发明专利技术还涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法。

A top gate Schottky oxide thin film transistor and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管及制备方法
本专利技术涉及一种薄膜晶体管及制备方法，特别地涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管及制备方法。
技术介绍
随着电子信息技术的不断发展，显示器作为信息展示和人机交互的最重要的途径，也获得了长足的发展与进步。无论是对于LCD还是OLED显示器，薄膜晶体管(TFT)作为有源显示器中重要的驱动元件和开关元件，其性能很大程度上影响着显示器的亮度、速度和对比度等。传统的非晶硅(a-Si)TFT因其较低的迁移率已经无法满足高分辨率、高帧频显示的要求，而多晶硅(poly-Si)TFT又因为晶界的存在而无法实现大尺寸显示的要求。目前，受到广泛关注和研究的金属氧化物TFT除了兼具a-Si较好的均匀性和poly-Si较高的载流子迁移率，还具备可见光透过率高、工艺温度低、工艺成本低、与当前生产线工艺兼容等优点，使其有希望应用于下一代大尺寸、高帧频、高分辨率的透明柔性显示技术中。传统的氧化物TFT通常具有不严格饱和的输出特性，以及较大的饱和电压，这使得它们的应用受到限制。如在制作驱动电路时，模拟部分的增益不高。在用作AMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：/n衬底；/n源极，漏极，其设置在所述衬底上；/n有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；/n绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及/n栅电极，其设置在所述绝缘层上方。/n

【技术特征摘要】
1.一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：
衬底；
源极，漏极，其设置在所述衬底上；
有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；
绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及
栅电极，其设置在所述绝缘层上方。


2.如权利要求1所述的晶体管，进一步包括保护层，其设置在所述有源区上以及所述绝缘层下方。


3.如权利要求1所述的晶体管，进一步包括缓冲层和/或遮光层，其设置在所述衬底与源极、漏极和所述衬底与所述有源区之间。


4.如权利要求1所述的晶体管，其中形成所述源极和漏极的材料的功函数大于所述有源层的功函数。


5.如权利要求1所述的晶体管，其中所述有源区与所述源极或漏极之间重叠部分的尺寸为0.1μm～10μm，和/或所述栅电极与所述源极或漏极之间重叠部分的尺寸为0.1μm～10μm。


6.如权利要求1所述的晶体管，其中所述有源区的厚度为10nm～200nm，和/或所述源/漏极的厚度为10nm～400nm，和/或所述栅电极的厚度为10n...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，张羽晴，陆磊，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东;44