沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET制造技术

本申请公开沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET。在描述的示例中，半导体器件具有带有深沟槽结构的垂直漏极延伸MOS晶体管以限定垂直漂移区和至少一个垂直漏极接触区，所述垂直漏极接触区通过深沟槽结构的至少一个实例与垂直漂移区分开。掺杂剂被植入至垂直漏极接触区，并且半导体器件被退火，使得植入的掺杂剂扩散接近深沟槽结构的底部。垂直漏极接触区在介入中间的深沟槽结构的底部处电接触至最近的垂直漂移区。至少一个栅极、主体区和源极区形成在漂移区之上且在半导体器件的衬底的顶部表面处或接近半导体器件的衬底的顶部表面处。深沟槽结构被隔开以形成漂移区的RESURF区域。

Grooved gate grooved field plate semi vertical semi transverse MOSFET

【技术实现步骤摘要】
沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET本申请是国际申请日为2014年09月26日、进入国家阶段日为2016年06月01日的名称为“沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET”的中国专利申请201480065667.8(PCT/US2014/057790)的分案申请。
本专利技术总体涉及半导体器件，并且具体涉及在半导体器件中的漏极延伸晶体管。
技术介绍
延伸漏极金属氧化物半导体(MOS)晶体管可以由在导通状态下晶体管的电阻、晶体管在包含晶体管的衬底的顶部表面处占据的横向面积以及限制晶体管的最大工作电势的在晶体管的漏极节点和源极节点之间的击穿电势来表征。可以期待的是，减少对于给定导通状态电阻和击穿电势的值的晶体管的面积。一种减少面积的技术是在延伸漏极中以垂直方向配置漂移区，使得漂移区中的漏极电流垂直地流至衬底的顶部表面。使用平面处理来将垂直取向漂移区集成在半导体器件中同时将制造成本和复杂性限制到所期待水平可能是有问题的。
技术实现思路
在描述的示例中，具有垂直漏极延伸MOS晶体管的半导体器件可以通过形成深沟槽结构以限定晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直MOS晶体管，其包括：/n半导体衬底；/n在所述衬底中形成的多个晶体管结构，/n每个所述晶体管结构包括：/n栅极沟槽，其具有侧壁和底部部分并且在第一方向上延伸，其中栅极介电层形成在所述栅极沟槽的所述侧壁和所述底部部分上，并且栅极形成在所述栅极介电层上；/n沟槽对，其布置成将所述栅极沟槽置于其间并且定位成与所述栅极沟槽间隔开，所述沟槽对中的每个沟槽在第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第二方向与所述栅极沟槽间隔开，其中所述沟槽对中的每个沟槽具有侧壁和底部部分，并且具有形成在所述侧壁和所述底部部分上的介电内衬以及形成在所述介电内衬上的导电材料；/n第一导电类型的源极区，其形成在所述...

【技术特征摘要】
20131003 US 14/044,9091.一种垂直MOS晶体管，其包括：
半导体衬底；
在所述衬底中形成的多个晶体管结构，
每个所述晶体管结构包括：
栅极沟槽，其具有侧壁和底部部分并且在第一方向上延伸，其中栅极介电层形成在所述栅极沟槽的所述侧壁和所述底部部分上，并且栅极形成在所述栅极介电层上；
沟槽对，其布置成将所述栅极沟槽置于其间并且定位成与所述栅极沟槽间隔开，所述沟槽对中的每个沟槽在第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第二方向与所述栅极沟槽间隔开，其中所述沟槽对中的每个沟槽具有侧壁和底部部分，并且具有形成在所述侧壁和所述底部部分上的介电内衬以及形成在所述介电内衬上的导电材料；
第一导电类型的源极区，其形成在所述衬底的表面处并且在所述第二方向上延伸通过所述栅极沟槽和所述沟槽对的两个沟槽之间的区域；
第二导电类型的主体区，其形成在所述衬底中并且在所述源极区之下，并且邻近所述栅极沟槽的所述侧壁和所述沟槽对的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·丹尼森，S·彭德哈卡尔，G·马图尔，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US