【技术实现步骤摘要】
一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件
本专利技术涉及功率半导体器件领域，是关于一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件。
技术介绍
随着半导体技术及其应用领域的迅速发展，功率半导体器件制造工艺和结构不断进步，促使功率器件向着高性能方向发展。功率器件中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LateralDouble-DiffusedMOSFET，简称LDMOS)具有开关速度快、输出功率大、线性增益高、耐久性好等优点，同时LDMOS器件基于成熟的硅工艺，使得其制作成本较低，所以LDMOS器件逐渐取代硅双极型功率器件，成为射频大功率器件的主流技术，广泛应用在移动通信、雷达、航空航天、广播基础设施等射频领域。随着LDMOS应用在更多更广的射频领域中，进一步提高器件的频率性能就尤为重要。LDMOS的射频性能受本征寄生电容的影响，同时，器件的寄生效应会降低特性参数，例如效率、增益、截止频率等，并且造成输入输出匹配困难。为了具有高频率性能，必须最小化寄生电容。器件的截止频率和最高振荡频率是权衡一个器件频率特性的重...
【技术保护点】
1.一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)的上方设有N型区(2)，在N型区(2)的上方有P型体区(4)和N型漂移区(3)，在P型体区(4)内设有N型源区(5)和P型区(7)，在N型漂移区(3)内设有N型漏区(6)，在N型漏区(6)、N型源区(5)和P型区(7)上分别设有漏极金属接触(10)、源极金属接触(11)和体区金属接触(12)，在N型区(2)的上方设有栅氧化层(8)，并且所述栅氧化层(8)的一端始于N型源区(5)，另一端向N型漏区(6)延伸进入N型源区(3)的上方，在栅氧化层(8)的上方覆盖有多晶硅栅场板(9)，在栅氧化层...
【技术特征摘要】
1.一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)的上方设有N型区(2)，在N型区(2)的上方有P型体区(4)和N型漂移区(3)，在P型体区(4)内设有N型源区(5)和P型区(7)，在N型漂移区(3)内设有N型漏区(6)，在N型漏区(6)、N型源区(5)和P型区(7)上分别设有漏极金属接触(10)、源极金属接触(11)和体区金属接触(12)，在N型区(2)的上方设有栅氧化层(8)，并且所述栅氧化层(8)的一端始于N型源区(5)，另一端向N型漏区(6)延伸进入N型源区(3)的上方，在栅氧化层(8)的上方覆盖有多晶硅栅场板(9)，在栅氧化层(8)与N型漏区(6)之间设有场氧层(14)，且所述场氧层(14)设在N型漂移区(3)上，在场氧层(14)上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板(13B)和高位源级场板(13A)组成，在高位源级场板(13A)的下方设有由场氧层(14)局部上突形成的厚场氧层(14A)，所述厚场氧层(14A)抬高高位源级场板(13...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘斯扬，杨玲，叶然，卢丽，王琪朝，孙伟锋，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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