一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，包括条形结构的N+衬底，N+衬底上设置有N‑外延层，N‑外延层上纵向设置有源N+扩散窗口，N‑外延层的左右两侧沿源N+扩散窗口的纵向方向分别设置有栅氧化层，每个栅氧化层上依次设置有栅极多晶硅和栅源隔离层，源N+扩散窗口、源P+扩散窗口和接触孔设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口将源P+扩散窗口分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅连接构成栅极，漏极金属与N+衬底连接构成漏极。本实用新型专利技术在保证产品电参数的情况下，缩小了元胞尺寸，使单位面积内并联的元胞数目增多，从而提高了单位面积的电流密度。

A MOSFET structure for increasing current density per unit area

【技术实现步骤摘要】
一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构
本技术属于半导体
，具体涉及一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构。
技术介绍
目前市面上大部分MOSFET采用平面多晶硅栅自对准工艺进行制造和生产，淀积USG+BPSG后刻蚀引线孔。为保证源极金属与源区良好的接触，对于N沟道器件，接触孔必须在源N+区两边各覆盖0.5μm，对于P沟道器件，接触孔必须在源P+区两边各覆盖0.5μm，这样无法进一步缩小单元尺寸，提高单位面积的电流密度，导致芯片面积无法缩小。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，既可以提高单位面积的电流密度，又可以有效减小器件的米勒电容。本技术采用以下技术方案：一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，包括条形结构的N+衬底，N+衬底上设置有N-外延层，N-外延层上纵向设置有源N+扩散窗口，N-外延层的左右两侧沿源N+扩散窗口的纵向方向分别设置有栅氧化层，每个栅氧化层上依次设置有栅极多晶硅和栅源隔离层，源N+扩散窗口、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，包括条形结构的N+衬底(1)，N+衬底(1)上设置有N-外延层(2)，N-外延层(2)上纵向设置有源N+扩散窗口(6)，N-外延层(2)的左右两侧沿源N+扩散窗口(6)的纵向方向分别设置有栅氧化层(3)，每个栅氧化层(3)上依次设置有栅极多晶硅(4)和栅源隔离层(5)，源N+扩散窗口(6)、源P+扩散窗口(7)和接触孔(8)设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口(6)将源P+扩散窗口(7)分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅(4)连接构成栅极，漏极金属与N+衬底(1)连接构成漏极。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，包括条形结构的N+衬底(1)，N+衬底(1)上设置有N-外延层(2)，N-外延层(2)上纵向设置有源N+扩散窗口(6)，N-外延层(2)的左右两侧沿源N+扩散窗口(6)的纵向方向分别设置有栅氧化层(3)，每个栅氧化层(3)上依次设置有栅极多晶硅(4)和栅源隔离层(5)，源N+扩散窗口(6)、源P+扩散窗口(7)和接触孔(8)设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口(6)将源P+扩散窗口(7)分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅(4)连接构成栅极，漏极金属与N+衬底(1)连接构成漏极。


2.根据权利要求1所述的提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，多晶硅(4)的尺寸为4～10μm，厚度为


3.根据权利要求1所述的提高单位面积电流密度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：习毓，丁文华，周新棋，陈骞，单长玲，智晶，
申请(专利权)人：西安卫光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61