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本实用新型公开了一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，包括条形结构的N+衬底，N+衬底上设置有N‑外延层，N‑外延层上纵向设置有源N+扩散窗口，N‑外延层的左右两侧沿源N+扩散窗口的纵向方向分别设置有栅氧化层，每个栅氧化层上依次设置有...
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