半导体器件以及形成半导体器件的方法技术

根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏极和栅极的晶体管。半导体器件也包括用于晶体管的导电接触件。导电接触件提供至晶体管的源极/漏极或栅极的电连接。导电接触件包括多个阻挡层。阻挡层具有彼此不同的深度。根据本申请的实施例，还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。

Semiconductor device and method of forming semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及形成半导体器件的方法
本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。然而，这些进步已经增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件)已经减小。然而，常规半导体器件仍可能具有某些缺点。例如，可以形成导电接触件以为诸如晶体管的有源器件或诸如电阻器、电容器、电感器等的无源器件提供电连接。为了形成这样的导电接触件，可以形成接触开口并且然后用导电材料填充。然而，常规半导体器件的接触开口通常形成为具有花瓶或椭圆状形状。这种形状可能导致难以填充开口，这可能降低器件性能或良率。因此，虽然现有的半导体器件及其制造对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n晶体管，具有源极/漏极和栅极；以及/n用于所述晶体管的导电接触件，所述导电接触件提供至所述晶体管的所述源极/漏极或所述栅极的电连接；/n其中：/n所述导电接触件包括多个阻挡层；以及/n所述阻挡层具有彼此不同的深度。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 16/050,1911.一种半导体器件，包括：
晶体管，具有源极/漏极和栅极；以及
用于所述晶体管的导电接触件，所述导电接触件提供至所述晶体管的所述源极/漏极或所述栅极的电连接；
其中：
所述导电接触件包括多个阻挡层；以及
所述阻挡层具有彼此不同的深度。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个阻挡层在截面图中具有阶梯状轮廓。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层具有彼此不同的材料组分。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述导电接触件包括由所述阻挡层围绕的金属部分；
所述阻挡层包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；
所述第一阻挡层与所述第二阻挡层的部分直接物理接触；
所述第二阻挡层与所述第三阻挡层的部分直接物理接触；以及
所述第三阻挡层与所述导电接触件的金属部分直接物理接触。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
所述第一阻挡层具有向下延伸至介电层中的第一长度；
所述第二阻挡层具有向下延伸至所述介电层中的第二长度，所述第二长度大于所述第一长度；以及
所述第三阻挡层具有向下延伸至所述介电层中的第三长度，所述第三长度大于所述第二长度。


6.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家扬，张简旭珂，王廷君，游咏晞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71