半导体元件制造技术

一种半导体元件包含第一半导体鳍片、第一磊晶层、第一合金层以及接触栓塞。第一半导体鳍片位于基材上。第一磊晶层位于第一半导体鳍片上。第一合金层位于第一磊晶层上方。第一合金层的材质包含一或多个IV族元素以及一或多个金属元素，且第一合金层包含第一侧壁及第二侧壁，第二侧壁自第一侧壁的底部沿着不平行于第一侧壁的方向向下延伸。接触栓塞接触于第一合金层的第一侧壁以及第二侧壁。

Semiconductor element

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本揭露是关于一种半导体元件，特别是关于一种半导体元件的形成方法。
技术介绍
随着半导体工业已发展到纳米技术制程节点以追求更高的元件密度、更高效能及更低成本，来自制造及设计问题两者的挑战已导致了三维设计的发展，诸如，鳍式场效应晶体管(fin-typefieldeffecttransistor,FinFET)以及具有高介电常数(highdielectricconstant,high-k)材料的金属栅极结构的使用。通常通过使用栅极替换技术来制造金属栅极结构，且通过使用磊晶生长方法形成源极及漏极。源极/漏极接触栓塞亦形成于源极/漏极区域上。
技术实现思路
于一些实施方式中，一种半导体元件，其特征在于，包含第一半导体鳍片、第一磊晶层、第一合金层以及接触栓塞。第一半导体鳍片位于基材上。第一磊晶层位于第一半导体鳍片上。第一合金层位于第一磊晶层上方。第一合金层的材质包含一或多个IV族元素以及一或多个金属元素，且第一合金层包含第一侧壁及第二侧壁，第二侧壁自第一侧壁的底部沿着不平行于第一侧壁的方向向下延伸。接触栓塞接触于第一合金层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：/n一第一半导体鳍片，位于一基材上；/n一第一磊晶层，位于该第一半导体鳍片上；/n一第一合金覆盖结构，位于该第一磊晶层上方，其中该第一合金覆盖结构的材质包含一或多个IV族元素以及一或多个金属元素，且该第一合金覆盖结构包含一第一侧壁以及一第二侧壁，该第二侧壁自该第一侧壁的一底部沿着不平行于该第一侧壁的一方向向下延伸；以及/n一接触栓塞，接触于该第一合金覆盖结构的该第一侧壁以及该第二侧壁接触栓塞。/n

【技术特征摘要】
20180730 US 62/711,640;20190118 US 16/252,4051.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一第一半导体鳍片，位于一基材上；
一第一磊晶层，位于该第一半导体鳍片上；
一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王菘豊，卡迪尔巴德·姆鲁尼尔，奥野泰利，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71