鳍状场效晶体管装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例说明鳍状场效晶体管装置的结构与形成方法。鳍状场效晶体管装置包括：基板；鳍状物，位于基板上；以及栅极结构，位于鳍状物上。栅极结构包括功函数金属层，位于栅极结构的内侧侧壁上。功函数金属层的最顶侧表面低于栅极结构的上表面。栅极结构亦包括充填栅极金属层，位于功函数金属层的最顶侧表面上。充填栅极金属层的上表面与栅极结构的上表面实质上共平面。栅极结构亦包括自组装单层，位于充填栅极金属层与功函数金属层之间。

【技术实现步骤摘要】
鳍状场效晶体管装置
本专利技术实施例涉及半导体结构，更特别涉及改善栅极电阻的结构与方法。
技术介绍
互补式金属氧化物半导体场效晶体管作为半导体产业中的关键构件，扮演多种电子装置中的重要角色。在半导体工艺中，金属与高介电常数的介电材料用于置换多晶硅与氧化硅，以形成晶体管中的栅极结构在晶体管尺寸缩小时符合效能需求(如载子移动率与装置速度)。为了形成金属栅极，可先形成虚置栅极后移除虚置栅极，以形成金属栅极所用的空间(如沟槽或预留位置)。接着沉积高介电常数的介电材料与金属于沟槽中，以填入沟槽并形成金属栅极。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的鳍状场效晶体管装置，包括：基板；鳍状物，位于基板上；以及栅极结构，位于鳍状物上。栅极结构包括功函数金属层，位于栅极结构的内侧侧壁上，且功函数金属层的最顶侧表面低于栅极结构的上表面；充填栅极金属层，位于功函数金属层的最顶侧表面上，且充填栅极金属层的上表面与栅极结构的上表面实质上共平面；以及自组装单层，位于充填栅极金属层与功函数金属层之间。本专利技术一实施例提供的形成半导体装置的方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍状场效晶体管装置，包括：/n一基板；/n一鳍状物，位于该基板上；/n一栅极结构，位于该鳍状物上，且该栅极结构包括：/n一功函数金属层，位于该栅极结构的内侧侧壁上，且该功函数金属层的最顶侧表面低于该栅极结构的上表面；/n一充填栅极金属层，位于该功函数金属层的最顶侧表面上，且该充填栅极金属层的上表面与该栅极结构的上表面实质上共平面；以及/n一自组装单层，位于该充填栅极金属层与该功函数金属层之间。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,394;20190227 US 16/287,3681.一种鳍状场效晶体管装置，包括：
一基板；
一鳍状物，位于该基板上；
一栅极结构，位于该鳍状物上，且该栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄如立，江欣哲，潘育麒，杨峻铭，梁春升，庄英良，叶明熙，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71