【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
以往，已知有具有晶体管部和二极管部的RC-IGBT。例如，在专利文献1的第0015段中记载有：“阳极层40的杂质浓度低于基区14的杂质浓度，并且低于P+接触区18的杂质浓度”。专利文献1：国际公开第2016/030966号
技术实现思路
技术问题在RC-IGBT中优选分别改善晶体管部和二极管部的导通特性。技术方案在本专利技术的第一方式中，提供具有晶体管部和二极管部的半导体装置，所述半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的第一阱区，其设置在半导体基板的上表面侧；第二导电型的阳极区，其在二极管部，设置在半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的第一高浓度区，其在阳极区与第一阱区之间，与第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高。晶体管部可以具有设置在半导体基板的上表面侧的第二导电型的基区。阳极区的掺杂浓度可以比基区的掺杂浓度低。第一高浓度区的掺杂浓度可...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，并且，所述半导体装置具备：/n第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；/n第二导电型的第一阱区，其设置在所述半导体基板的上表面侧；/n第二导电型的阳极区，其在所述二极管部，设置在所述半导体基板的上表面侧；以及/n第二导电型的第一高浓度区，其在所述阳极区与所述第一阱区之间，与所述第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比所述阳极区的掺杂浓度高。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171214 JP 2017-2395031.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，并且，所述半导体装置具备：
第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；
第二导电型的第一阱区，其设置在所述半导体基板的上表面侧；
第二导电型的阳极区，其在所述二极管部，设置在所述半导体基板的上表面侧；以及
第二导电型的第一高浓度区，其在所述阳极区与所述第一阱区之间，与所述第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比所述阳极区的掺杂浓度高。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述晶体管部具有设置在所述半导体基板的上表面侧的第二导电型的基区，
所述阳极区的掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度低。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一高浓度区的掺杂浓度与所述基区的掺杂浓度相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：
层间绝缘膜，其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及
发射电极，其设置在所述层间绝缘膜的上方，
所述层间绝缘膜设置有用于将所述发射电极与所述半导体基板电连接的一个或多个接触孔，
所述一个或多个接触孔沿着所述晶体管部所具有的多个沟槽部的延伸方向延伸地设置，
在俯视时的所述延伸方向上，所述阳极区与所述第一高浓度区之间位于所述二极管部中的比所述一个或多个接触孔的所述延伸方向上的端部更靠外侧的位置。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：
层间绝缘膜，其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及
发射电极，其设置在所述层间绝缘膜的上方，
所述层间绝缘膜设置有用于将所述发射电极与所述半导体基板电连接的一个或多个接触孔，
所述一个或多个接触孔沿着所述晶体管部所具有的多个沟槽部的延伸方向延伸地设置，
在俯视时的所述延伸方向上，所述阳极区与所述第一高浓度区之间位于所述二极管部中的与所述一个或多个接触孔的所述延伸方向上的端部相同的位置。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：
层间绝缘膜，其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及
发射电极，其设置在所述层间绝缘膜的上方，
所述层间绝缘膜设置有用于将所述发射电极与所述半导体基板电连接的一个或多个接触孔，
所述一个或多个接触孔沿着所述晶体管部所具有的多个沟槽部的延伸方向延伸地设置，
在俯视时的所述延伸方向上，所述阳极区与所述第一高...
【专利技术属性】
技术研发人员：三塚要，高桥美咲，白川彻，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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