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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:23293750
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提供晶体管部和二极管部的导通特性优良的半导体装置。提供具有晶体管部与二极管部的半导体装置,该半导体装置具备:第一导电型的漂移区,其设置在半导体基板;第二导电型的第一阱区,其设置在半导体基板的上表面侧;第二导电型的阳极区,其在二极管部,设置在...
该专利属于富士电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士电机株式会社授权不得商用。
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