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一种半导体元件包含第一半导体鳍片、第一磊晶层、第一合金层以及接触栓塞。第一半导体鳍片位于基材上。第一磊晶层位于第一半导体鳍片上。第一合金层位于第一磊晶层上方。第一合金层的材质包含一或多个IV族元素以及一或多个金属元素，且第一合金层包含第一侧...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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