一种整流硅桥结构制造技术

一种整流硅桥结构，包括硅桥组件、改性环氧外壳、缓冲层和环氧树脂；硅桥组件设置在改性环氧外壳内，硅桥组件和改性环氧外壳之间填充有环氧树脂；硅桥组件外侧涂覆有缓冲层。本发明专利技术通过在硅桥组件的玻璃钝化封装二极管表面涂覆一层缓冲层(GD401室温硫化硅橡胶)，能够有效消除产品由于不同材料间热膨胀系数存在差异(所用材料不同，如：玻璃、金属、环氧等)，在浇铸成型：环氧树脂固化过程中，筛选：温度循环、功率老练等，使用过程(工作环境等)中，由于温度变化等所产生的应力，提高了产品的质量，确保了产品的稳定性、可靠性，在实际应用中效果显著。果显著。果显著。

【技术实现步骤摘要】
一种整流硅桥结构


[0001]本专利技术属于电子元器件
，特别涉及一种整流硅桥结构。

技术介绍

[0002]现有的整流硅桥产品由玻璃钝化封装二极管按照工艺要求分别点焊成所需的硅桥组件，硅桥组件装入改性环氧外壳后，直接进行环氧树脂浇铸，由于不同材料间热膨胀系数存在差异(所用材料不同，如：玻璃、金属、环氧树脂等)，产品在浇铸成型：环氧树脂固化过程中，筛选：温度循环、功率老练等，使用过程(工作环境等)中，由于温度变化等所产生的应力，导致玻璃钝化封装二极管玻球开裂，造成整流硅桥产品致命失效，产品合格率低等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种整流硅桥结构，以解决上述问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0005]一种整流硅桥结构，包括硅桥组件、改性环氧外壳、缓冲层和环氧树脂；硅桥组件设置在改性环氧外壳内，硅桥组件和改性环氧外壳之间填充有环氧树脂；硅桥组件外侧涂覆有缓冲层。
[0006]进一步的，硅桥组件包括4只或者6只玻璃钝化封装二极管，玻璃钝化封装二极管经过打弯整形后，采用点焊工艺，并通过串、并联将其连接成单相桥或三相桥的形式，4只或者6只玻璃钝化封装二极管均匀分布在改性环氧外壳内。
[0007]进一步的，玻璃钝化封装二极管为4只时，呈正方形排布。
[0008]进一步的，玻璃钝化封装二极管为6只时，呈长方形排布。
[0009]进一步的，缓冲层为GD401室温硫化硅橡胶。
[0010]进一步的，硅桥组件完全包裹在缓冲层和环氧树脂内。
[0011]与现有技术相比，本专利技术有以下技术效果：
[0012]本专利技术通过在硅桥组件的玻璃钝化封装二极管表面涂覆一层缓冲层(GD401室温硫化硅橡胶)，能够有效消除产品由于不同材料间热膨胀系数存在差异(所用材料不同，如：玻璃、金属、环氧等)，在浇铸成型：环氧树脂固化过程中，筛选：温度循环、功率老练等，使用过程(工作环境等)中，由于温度变化等所产生的应力，提高了产品的质量，确保了产品的稳定性、可靠性，在实际应用中效果显著，已将此操作固化到工艺文件中，并广泛应用于所有整流硅桥产品的批量生产中。同时，也广泛应用于所有整流硅堆产品的批量生产中。
附图说明
[0013]图1为本专利技术一种整流硅桥结构的结构示意图；
[0014]图2为俯视图。
具体实施方式
[0015]以下结合附图对本专利技术进一步说明：
[0016]请参阅图1和图2所示，本专利技术一种整流硅桥结构，
[0017]包括硅桥组件1、改性环氧外壳2及环氧树脂3。
[0018]一种整流硅桥结构，包括硅桥组件1、改性环氧外壳2、缓冲层和环氧树脂3；硅桥组件1设置在改性环氧外壳2内，硅桥组件1和改性环氧外壳2之间填充有环氧树脂3；硅桥组件1外侧涂覆有缓冲层。
[0019]硅桥组件1包括4只或者6只玻璃钝化封装二极管，玻璃钝化封装二极管经过打弯整形后，采用点焊工艺，并通过串、并联将其连接成单相桥或三相桥的形式，4只或者6只玻璃钝化封装二极管均匀分布在改性环氧外壳2内。
[0020]缓冲层为GD401室温硫化硅橡胶。
[0021]本专利技术为了克服
技术介绍
所述的缺点，通过在硅桥组件的玻璃钝化封装二极管表面涂覆一层缓冲层(GD401室温硫化硅橡胶)，能够有效消除产品由于不同材料间热膨胀系数存在差异(所用材料不同，如：玻璃、金属、环氧等)，在浇铸成型：环氧树脂固化过程中，筛选：温度循环、功率老练等，使用过程(工作环境等)中，由于温度变化等所产生的应力，提高了产品的质量，确保了产品的稳定性、可靠性，在实际应用中效果显著，已将此操作固化到工艺文件中，并广泛应用于公司所有整流硅桥、整流硅堆产品的批量生产中。
[0022]本专利技术一种整流硅桥结构制作工艺，在硅桥组件的玻璃钝化封装二极管表面涂覆一层缓冲层(GD401室温硫化硅橡胶)，并对缓冲层做以下处理：缓冲层需做烘焙、固化，固化后，将硅桥组件，装入改性环氧外壳中，进行浇铸，经过环氧树脂浇铸、固化、检验、测试后完成。
[0023]缓冲层(GD401室温硫化硅橡胶)固化条件：
[0024][0025]实施例1：
[0026]一种整流硅桥结构，包括硅桥组件1、改性环氧外壳2、缓冲层和环氧树脂3；
[0027]硅桥组件1设置在改性环氧外壳2内，硅桥组件1和改性环氧外壳2之间填充有环氧树脂3；硅桥组件1外侧涂覆有缓冲层。
[0028]硅桥组件1包括4只或者6只玻璃钝化封装二极管，玻璃钝化封装二极管经过打弯整形后，采用点焊工艺，并通过串、并联将其连接成单相桥或三相桥的形式，4只或者6只玻璃钝化封装二极管均匀分布在改性环氧外壳2内。
[0029]玻璃钝化封装二极管的个数为4只
[0030]玻璃钝化封装二极管呈正方形排布。
[0031]缓冲层为GD401室温硫化硅橡胶。
[0032]硅桥组件1完全包裹在缓冲层和环氧树脂3内。
[0033]缓冲层(GD401室温硫化硅橡胶)固化条件：
[0034][0035]实施例2：
[0036]一种整流硅桥结构，包括硅桥组件1、改性环氧外壳2、缓冲层和环氧树脂3；
[0037]硅桥组件1设置在改性环氧外壳2内，硅桥组件1和改性环氧外壳2之间填充有环氧树脂3；硅桥组件1外侧涂覆有缓冲层。
[0038]硅桥组件1包括4只或者6只玻璃钝化封装二极管，玻璃钝化封装二极管经过打弯整形后，采用点焊工艺，并通过串、并联将其连接成单相桥或三相桥的形式，4只或者6只玻璃钝化封装二极管均匀分布在改性环氧外壳2内。
[0039]玻璃钝化封装二极管的个数为6只
[0040]玻璃钝化封装二极管呈长方形排布。
[0041]缓冲层为GD401室温硫化硅橡胶。
[0042]硅桥组件1完全包裹在缓冲层和环氧树脂3内。
[0043]缓冲层(GD401室温硫化硅橡胶)固化条件：
[0044]
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种整流硅桥结构，其特征在于，包括硅桥组件(1)、改性环氧外壳(2)、缓冲层和环氧树脂(3)；硅桥组件(1)设置在改性环氧外壳(2)内，硅桥组件(1)和改性环氧外壳(2)之间填充有环氧树脂(3)；硅桥组件(1)外侧涂覆有缓冲层。2.根据权利要求1所述的一种整流硅桥结构，其特征在于，硅桥组件(1)包括4只或者6只玻璃钝化封装二极管，玻璃钝化封装二极管经过打弯整形后，采用点焊工艺，并通过串、并联将其连接成单相桥或三相桥的形式，4只或者6只玻...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晋萍，
申请(专利权)人：西安卫光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：