【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)作为开关部件和驱动部件，是显示
非常重要的元件，普遍应用于各种显示装置中，如液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)装置和有机发光二极管显示(OrganicLightEmittingDiode，OLED)装置等。近年来，高分辨率(Pixelsperinch，PPI)显示逐渐成为行业发展趋势。为了满足高分辨率要求，减小薄膜晶体管的面积是一种主要的技术途径。但现有薄膜晶体管通常是准平面结构，难以通过减小薄膜晶体管的面积来提高分辨率。因此，如何通过减小薄膜晶体管的面积来提高分辨率，是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题是，提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，以克服现有结构难以通过减小薄膜晶体管的面积来提高分辨率的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的栅电极和有源层，所述栅电极为拱门状，所述有源层穿设在所述拱门内，形成被所述栅电极包围的沟道。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的栅电极和有源层，所述栅电极为拱门状，所述有源层穿设在所述拱门内，形成被所述栅电极包围的沟道。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅绝缘层，所述有源层设置在所述基底上，沿第一方向延伸；所述栅绝缘层覆盖所述有源层；所述栅电极设置在所述栅绝缘层上，沿垂直于第一方向的第二方向延伸，在所述有源层和栅电极垂直交叉区域，所述栅电极为套设所述有源层的环形的拱门状，在所述环形的拱门内形成被栅电极环形包围的沟道。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括层间绝缘层、源电极和漏电极，所述层间绝缘层覆盖所述栅电极，其上形成有暴露出所述有源层的过孔，所述源电极和漏电极设置在所述层间绝缘层上，分别通过所述过孔与有源层连接。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括缓冲层和栅绝缘层，所述缓冲层设置在所述基底上，其上形成有凹槽；所述栅电极设置在所述缓冲层上，沿第二方向延伸，并在所述凹槽内形成环形的拱门；所述栅绝缘层覆盖所述栅电极；所述有源层设置在所述栅绝缘层上，沿垂直于第二方向的第一方向延伸，在所述有源层和栅电极垂直交叉区域，所述有源层穿设在所述环形的拱门内，在环形的拱门内形成被所述栅电极环形包围的沟道。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括源电极和漏电极，所述源电极和漏电极设置在所述有源层上，分别与有源层连接。
6.根据权利要求1～5任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层和栅电极呈鱼鳍状。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～6任一所述的薄膜晶体管。
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱磊，李志勇，杨硕，杨润洲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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