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本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括设置在基底上的栅电极和有源层，所述栅电极为拱门状，所述有源层穿设在所述拱门内，形成被所述栅电极包围的沟道。本发明通过形成被栅电极环形包围的沟道，有效减小了薄膜晶体管的面积，满足...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司授权不得商用。