一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板技术

本发明专利技术提出一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板，涉及显示面板领域，薄膜晶体管包括：金属氧化物层，包括被源漏金属层覆盖且未被导体化的第一部分、以及与第一部分连接且被导体化的第二部分；源漏金属层，位于所述第一部分的上方且与第二部分接触并形成一条接触边；绝缘层，覆盖源漏金属层和金属氧化物层，所述绝缘层在第二部分上方设有接触孔，所述第二部分通过接触孔被导体化；其中，所述接触边的形状为多齿形，所述源漏金属层与第二部分之间的接触长度为所述接触边的总长度。通过改变源漏金属层与导体化的金属氧化物层的接触边的形状来增加接触边的总长度，可以有效的减小接触电阻。

A thin film transistor and its manufacturing method, array substrate

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板
本专利技术属于显示面板领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板。技术背景铟镓锌氧化物(IGZO)是一种半导体材料，通常用于制作显示面板中的TFT器件。IGZO在特定的气氛条件下通过热处理可以变成导体，利用这一特点，可以使用IGZO制做像素中的像素电极，具体方法为先利用IGZO层制作出TFT和像素电极的图案，再用金属制作出数据线和源漏电极，最后将需要导体化的部分IGZO进行导体化形成像素电极。利用IGZO导体化制作像素电极可以省去一道利用透明电极(ITO)制作像素电极的步骤制作，节省了光罩数目，同时也可以节省了ITO靶材成本以及磁控溅射的时间。按照传统方案设计源漏电极与像素电极的连接方式，在制备IGZO导体化过程中会遇到像素电极与源漏电极接触阻抗过大的问题。图1是现有技术中IGZO导体化制作示意图，如图1所示，在未导体化之前，底层为半导体层10，源漏金属层20位于半导体层10上方，绝缘层30覆盖半导体层10和源漏金属层20；导体化后，导体化的部分形成像素电极12。在对绝缘层30的开孔区31内的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管体，其特征在于，包括：/n金属氧化物层，包括被源漏金属层覆盖且未被导体化的第一部分、以及与第一部分连接且被导体化的第二部分；/n源漏金属层，位于所述第一部分的上方且与第二部分接触并形成一条接触边；/n绝缘层，覆盖源漏金属层和金属氧化物层，且所述绝缘层在第二部分上方设有接触孔，所述第二部分通过接触孔被导体化；/n其中，所述接触边的形状为多齿形，所述源漏金属层与第二部分之间的接触长度为所述接触边的总长度。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管体，其特征在于，包括：
金属氧化物层，包括被源漏金属层覆盖且未被导体化的第一部分、以及与第一部分连接且被导体化的第二部分；
源漏金属层，位于所述第一部分的上方且与第二部分接触并形成一条接触边；
绝缘层，覆盖源漏金属层和金属氧化物层，且所述绝缘层在第二部分上方设有接触孔，所述第二部分通过接触孔被导体化；
其中，所述接触边的形状为多齿形，所述源漏金属层与第二部分之间的接触长度为所述接触边的总长度。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多齿形为波浪形或锯齿形或梳形。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多齿形的齿形越密，接触边的总长度越长，源漏金属层和第二部分的接触阻抗越小。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈方，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32