薄膜晶体管、像素驱动电路和显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、像素驱动电路和显示面板，薄膜晶体管包括衬底；位于衬底上的栅极层、有源层以及位于栅极层和有源层之间的栅极绝缘层；栅极绝缘层包括高介电膜层，栅极绝缘层还包括位于高介电膜层与栅极层之间的第一钝化层和/或位于高介电膜层与有源层之间的第二钝化层。通过本发明专利技术的技术方案，有利于增加薄膜晶体管的面积电容以及载流子迁移率，减小薄膜晶体管的尺寸以及栅极绝缘层的厚度，同时有利于减小薄膜晶体管的漏电流，提高薄膜晶体管的偏压稳定性，降低薄膜晶体管的磁滞效应。

Thin film transistor, pixel driver and display panel

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、像素驱动电路和显示面板
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、像素驱动电路和显示面板。
技术介绍
有机发光显示器(OLED)由于具有自主发光、快速响应、轻薄、低功耗并可实现柔性显示等诸多优点而备受关注，目前OLED技术已逐步应用于各种电子产品中，其中有源矩阵有机发光显示屏(AMOLED)凭借高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻超薄等优点而成为OLED发展的主要趋势。有机发光显示器中对应不同的像素设置有像素驱动电路，像素驱动电路包含有多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅绝缘层中存在许多缺陷，导致栅绝缘层漏电流过大，进而导致薄膜晶体管的关态电流增加，显示面板存在显示色差，造成显示异常。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种薄膜晶体管、像素驱动电路和显示面板，有利于增加薄膜晶体管的面积电容以及载流子迁移率，减小薄膜晶体管的尺寸以及栅极绝缘层的厚度，同时有利于减小薄膜晶体管的漏电流，提高薄膜晶体管的偏压稳定性，降低薄膜晶体管的磁滞效应。第一方面，本专利技术实施例提供了一种薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的栅极层、有源层以及位于所述栅极层和所述有源层之间的栅极绝缘层；/n所述栅极绝缘层包括高介电膜层，所述栅极绝缘层还包括位于所述高介电膜层与所述栅极层之间的第一钝化层和/或位于所述高介电膜层与所述有源层之间的第二钝化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的栅极层、有源层以及位于所述栅极层和所述有源层之间的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层包括高介电膜层，所述栅极绝缘层还包括位于所述高介电膜层与所述栅极层之间的第一钝化层和/或位于所述高介电膜层与所述有源层之间的第二钝化层。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层位于所述衬底远离所述有源层的一侧或者所述有源层位于所述栅极层远离所述衬底的一侧。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层还包括位于所述高介电膜层与所述栅极层之间的第一钝化层，所述第一钝化层的厚度大于等于100埃，小于等于150埃。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层还包括位于所述高介电膜层与所述有源层之间的第二钝化层，所述第二钝化层的厚度大于等于100埃，小于等于150埃。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述高介电膜层的厚度大于等于1000埃，小于等于1200埃。


6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，构成所述高...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁宾，冯兵明，周琦，顾维杰，马应海，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13