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一种BCE IGZO TFT器件及其制作方法，其特征在于，包含提供一基板，沉积一第一金属层于所述基板上，所述第一金属层透过图案化工艺，形成一栅极和一第一电极层，沉积一栅极绝缘层于所述基板、所述栅极和所述第一电极层上，所述栅极绝缘层透过蚀刻工...
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