薄膜晶体管及其制备方法与显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括：基板；栅极；栅极绝缘层；有源层；阻隔层；源漏电极；钝化层；以及，像素电极，所述阻隔层位于所述有源层之上，所述源漏电极之下，所述阻隔层为含有极性官能团的硅氧烷，所述极性官能团为巯基、胺基以及卤代烷基中的至少一者。通过设置本发明专利技术所述的阻隔层，可有效避免Cu离子在后续高温制程扩散至有源层内形成缺陷，恶化器件的电学性能，并且，该方法操作简便，成本低廉，制程时间短。

Thin film transistor and its preparation and display device

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法与显示装置
本专利技术涉及显示面板领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法与显示装置。
技术介绍
大尺寸，高帧率处理和可见光范围内穿透率高等显著优点在有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵有机电致发光二极管(AMOLED)等领域具有广阔的应用前景。TV面板随着尺寸的增大，需降低金属走线的电容-电阻延时效应(RCDelay)，金属Cu因电阻较低且成本低廉而被广泛应用，但Cu离子在后续高温制程易扩散至有源层(IGZO或A-Si)内形成缺陷，恶化器件的电学性能。为阻隔Cu离子扩散对器件性能的影响，目前业内普遍采用Mo，Ti或MoTi合金作为阻隔层材料以避免Cu离子扩散的影响。然而，采用Mo，Ti或MoTi合金阻止Cu离子的扩散的方法，仍存在一些缺陷：1.目前Mo或Ti等阻隔层材料一般通过溅射等物理气相沉积方法，真空设备昂贵且处理时间(Tacttime)相对较长；2.Mo作为阻隔层搭载Cu，Cu/Mo蚀刻后易因电化学吸氧腐蚀导致钻蚀(undercut)，钻蚀严重使后续制程布线的断开，影响器件的电学性能；MoTi虽无钻蚀，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n栅极，配置于所述基板之上；/n栅极绝缘层，配置于所述栅极之上；/n有源层，配置于所述栅极绝缘层之上；/n阻隔层，配置于所述有源层之上；/n源极及漏极，配置于所述阻隔层之上；/n钝化层，配置于所述源极及漏极之上；以及/n像素电极，配置于所述钝化层之上，/n其中，所述阻隔层为含有极性官能团的硅氧烷，所述极性官能团为巯基、胺基以及卤代烷基中的至少一者。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
栅极，配置于所述基板之上；
栅极绝缘层，配置于所述栅极之上；
有源层，配置于所述栅极绝缘层之上；
阻隔层，配置于所述有源层之上；
源极及漏极，配置于所述阻隔层之上；
钝化层，配置于所述源极及漏极之上；以及
像素电极，配置于所述钝化层之上，
其中，所述阻隔层为含有极性官能团的硅氧烷，所述极性官能团为巯基、胺基以及卤代烷基中的至少一者。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述硅氧烷中至少含有一个支链，所述支链含有3个及以上的碳原子。


3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，所述硅氧烷选自3-巯丙基三甲氧基硅烷、3,3,3-氟丙基三甲氧基硅烷以及3-氨丙基三甲氧基甲硅烷中任意一者。


4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻隔层的厚度为600-1000埃。


5.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
S1、在基板之上形成栅极；
S2、在所述栅极之上形成栅极绝缘层；
S3、在所述栅极绝缘层上形成有源层；
S4、在所述有源层上形成一层阻隔层，所述阻隔层为含有极性官能团的硅氧烷，所述极性官能团为巯基、胺基以及卤...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44