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本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：基板；栅极；栅极绝缘层；有源层；阻隔层；源漏电极；钝化层；以及，像素电极，所述阻隔层位于所述有源层之上，所述源漏电极之下，所述阻隔层为含有极性官能团的硅氧烷，所述极性官能团为巯基、胺基以及卤代烷基中的至少一...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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