包括含硼绝缘图案的集成电路器件制造技术

提供了集成电路(IC)器件。IC器件包括衬底，衬底包括有源区。IC器件包括衬底上的位线。IC器件包括连接在有源区与位线之间的直接接触部。IC器件包括衬底上的接触插塞。此外，IC器件包括在接触插塞和直接接触部之间的含硼绝缘图案。

Integrated circuit devices including boron insulated patterns

【技术实现步骤摘要】
包括含硼绝缘图案的集成电路器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0094613号韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。
本公开涉及一种集成电路(IC)器件，更具体地，涉及包括彼此相邻的多个导电图案的IC器件。
技术介绍
近年来，随着TC器件的尺寸快速缩小，互连线之间的距离变得更窄，因此互连线与介于互连线之间的接触插塞之间的距离逐渐减小。因此，接触插塞和互连线之间的寄生电容增加，并且接触插塞和与之相邻的导电区之间电短路的可能性也增加。
技术实现思路
本专利技术构思提供了一种集成电路(IC)器件，其随着IC器件的尺寸缩小可以具有减小的(例如，小型化的)单位单元尺寸，并且可以减小在有限面积中形成的接触插塞和与接触插塞相邻的导电线之间的寄生电容，并减少相邻导电区之间电短路的可能性，以提高可靠性。根据本专利技术构思的一些实施例，提供了一种IC器件。IC器件可以包括衬底，衬底包括彼此间隔开的第一有源区和第二有源区。IC器件可以包括在衬底上沿一水平方向延伸的位线。IC器件可以包括连接在第一有源区与位线之间的直接接触部。IC器件可以包括在衬底上沿竖直方向延伸的接触插塞。接触插塞可以包括与位线相邻的上部以及与衬底中的第二有源区接触的下部。此外，IC器件可以包括在接触插塞的下部与直接接触部之间的含硼绝缘图案。根据本专利技术构思的一些实施例的IC器件可以包括衬底，衬底包括彼此间隔开的多个有源区。IC器件可以包括在衬底上沿一水平方向延伸的位线。IC器件可以包括在衬底上沿与位线平行的水平线彼此间隔开的多个接触插塞。IC器件可以包括在该水平方向上与所述多个接触插塞交替的多个绝缘围栏。IC器件可以包括连接在所述多个有源区中的第一有源区与位线之间的直接接触部。此外，IC器件可以包括在所述多个接触插塞中的第一接触插塞与直接接触部之间的含硼绝缘图案。根据本专利技术构思的一些实施例的IC器件可以包括衬底，衬底包括多个有源区。IC器件可以包括在衬底上沿一水平方向延伸的位线。IC器件可以包括连接在所述多个有源区中的第一有源区与位线之间的直接接触部。IC器件可以包括彼此面对的第一接触插塞和第二接触插塞，其中位线在第一接触插塞与第二接触插塞之间。第一接触插塞和第二接触插塞可以分别连接到所述多个有源区中的第二有源区和第三有源区。TC器件可以包括彼此面对的第一绝缘围栏和第二绝缘围栏，其中位线在第一绝缘围栏与第二绝缘围栏之间。此外，IC器件可以包括多个含硼绝缘图案。所述多个含硼绝缘图案可以包括在直接接触部与第一接触插塞之间的第一含硼绝缘图案以及在直接接触部与第二接触插塞之间的第二含硼绝缘图案。所述多个含硼绝缘图案中的每一个包括硅氮化硼(SiBN)膜。附图说明根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的实施例，在附图中：图1示出了根据实施例的集成电路(IC)器件的存储单元阵列区的主要部件的布局；图2A示出了根据实施例的IC器件的截面图；图2B是图2A的局部区域的放大平面图；图3A示出了根据实施例的IC器件的截面图；图3B是图3A的局部区域的放大平面图；图4A示出了根据实施例的IC器件的截面图；图4B是图4A的局部区域的放大平面图；图5A示出了根据实施例的IC器件的截面图；图5B是图5A的局部区域的放大平面图；图6是根据实施例的IC器件的截面图；图7A示出了根据实施例的IC器件的截面图；图7B是图7A的局部区域的放大平面图；图8A示出了根据实施例的IC器件的截面图；图8B是图8A的局部区域的放大平面图；图9A示出了根据实施例的IC器件的截面图；图9B是图9A的局部区域的放大平面图；图10A示出了根据实施例的IC器件的截面图；图10B是图10A的局部区域的放大平面图；图11是根据实施例的IC器件的截面图；图12A至图12N是根据实施例的制造IC器件的方法的工艺序列图；图13A至图13D示出了根据实施例的制造IC器件的方法的工艺序列的截面图；图14A至图14E是根据实施例的制造IC器件的方法的工艺序列图；以及图15A至图15E是根据实施例的制造IC器件的方法的工艺序列图。具体实施方式图1示出了根据实施例的集成电路(IC)器件10的存储单元阵列区的主要部件的布局。参考图1，IC器件10可以包括多个有源区ACT，该多个有源区ACT可以彼此间隔开。该多个有源区ACT可以布置成与平面上的X方向和Y方向中的每一个方向成一定角度，并且在水平方向上延伸。多条字线WL可以与该多个有源区ACT交叉，并且在X方向上彼此平行地延伸。多条位线BL可以位于该多条字线WL上，并且在与X方向交叉的Y方向上彼此平行地延伸。该多条位线BL可以通过一个或多个直接接触部DC连接到该多个有源区ACT。可以在该多条位线BL中的两条相邻位线BL之间形成多个掩埋接触部BC。可以在该多个掩埋接触部BC上形成多个导电着落(1anding)焊盘LP。该多个掩埋接触部BC和该多个导电着落焊盘LP可以用于将该多条位线BL上形成的电容器的下电极与有源区ACT连接。该多个导电着落焊盘LP中的每一个的至少一部分可以与掩埋接触部BC在竖直方向上重叠。接下来，将参考图2A至图11描述根据示例实施例的IC器件的配置。图2A至图11所示的每个IC器件可以具有图1所示的IC器件10的布局。在图2A、图3A、图4A、图5A、图7A、图8A、图9A和图10A中，(a)是与沿图1的线A-A’截取的截面对应的部分的一些部件的截面图，(b)是与沿图1的线B-B’截取的截面对应的部分的一些部件的截面图，并且(c)是与(a)中由“X1”指示的虚线区域对应的部分的放大截面图。图2A示出了根据实施例的IC器件100的截面图，并且图2B是图2A中的局部区域的放大平面图。参考图2A和图2B，IC器件100可以包括衬底110，在衬底110中，由器件隔离膜112限定多个有源区ACT。器件隔离膜112可以形成在衬底110中形成的器件隔离沟槽T1中。衬底110可以包括硅，例如单晶硅、多晶硅或非晶硅。在一些实施例中，衬底110可以包括从锗(Ge)、硅锗(SiGe)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)和磷化铟(InP)中选择的至少一种。在一些实施例中，衬底110可以包括导电区，例如掺杂阱或掺杂结构。多个字线沟槽T2可以形成在衬底110中并且沿第一水平方向(X方向)延伸，并且多个栅介电膜116、多条字线118和掩埋绝缘膜120可以形成在该多个字线沟槽T2内。该多条字线118可以对应于图1中所示的多条字线WL。可以在衬底110上顺序地形成第一绝缘膜122和第二绝缘膜124。第一绝缘膜122和第二绝缘膜124可以包括氧化硅、氮化硅或其组合。在一些实施例中，第一绝缘膜12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：/n衬底，包括彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；/n位线，在所述衬底上沿一水平方向延伸；/n直接接触部，连接在所述第一有源区与所述位线之间；/n接触插塞，在所述衬底上沿竖直方向延伸，所述接触插塞包括与所述位线相邻的上部以及与所述衬底中的所述第二有源区接触的下部；以及/n含硼绝缘图案，在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间。/n

【技术特征摘要】
20180813 KR 10-2018-00946131.一种集成电路器件，包括：
衬底，包括彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；
位线，在所述衬底上沿一水平方向延伸；
直接接触部，连接在所述第一有源区与所述位线之间；
接触插塞，在所述衬底上沿竖直方向延伸，所述接触插塞包括与所述位线相邻的上部以及与所述衬底中的所述第二有源区接触的下部；以及
含硼绝缘图案，在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间。


2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述含硼绝缘图案包括介电常数为2至6的氮化硅硼SiBN膜。


3.根据权利要求1所述的集成电路器件，
其中，所述含硼绝缘图案包括SixByNz，
其中，0.1≤x≤0.5，0.1≤y≤0.5，并且0.1≤z≤0.8。


4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述接触插塞的下部和所述直接接触部都与所述含硼绝缘图案接触。


5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：绝缘区，在所述接触插塞的下部与所述含硼绝缘图案之间以及在所述直接接触部与所述含硼绝缘图案之间，
其中，所述绝缘区的介电常数低于所述含硼绝缘图案的介电常数。


6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述绝缘区包括氧化硅膜、空气间隔物或其组合。


7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述含硼绝缘图案掩埋在所述衬底中。


8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：所述位线的侧壁上的含硼绝缘围栏，
其中，所述含硼绝缘围栏中的硼含量朝向所述位线增大。


9.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：在所述含硼绝缘图案上在所述接触插塞与所述位线之间的第一绝缘间隔物和第二绝缘间隔物，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物包括不同的相应材料，
其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物中的每一个不含硼。


10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物中的每一个与所述位线平行地延伸。


11.根据权利要求9所述的集成电路器件，还包括：在所述衬底上沿竖直方向延伸的绝缘围栏，所述绝缘围栏在所述水平方向上与所述接触插塞对齐，
其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物在所述位线与所述绝缘围栏之间延伸。


12.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物中的每一个围绕所述接触插塞的周边。


13.根据权利要求9所述的集成电路器件，还包括：在所述衬底上沿竖直方向延伸的绝缘围栏，所述绝缘围栏在所述水平方向上与所述接触插塞对齐，
其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物在所述接触插塞与所述绝缘围栏之间延伸。


14.根据权利要求13所述的集成电路器件，还包括：所述位线与所述绝缘围栏之间的含硼绝缘围栏。


15.一种集成电路器件，包括：
衬底，包括彼此间隔开的多个有源区；
位线，在所述衬底上沿一水平方向延伸；
多个接触插塞，在所述衬底上沿与所述位线平行的水平线彼此间隔开；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东阁，孙渊豪，李梦燮，李昱烈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR