【技术实现步骤摘要】
包括含硼绝缘图案的集成电路器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0094613号韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。
本公开涉及一种集成电路(IC)器件，更具体地，涉及包括彼此相邻的多个导电图案的IC器件。
技术介绍
近年来，随着TC器件的尺寸快速缩小，互连线之间的距离变得更窄，因此互连线与介于互连线之间的接触插塞之间的距离逐渐减小。因此，接触插塞和互连线之间的寄生电容增加，并且接触插塞和与之相邻的导电区之间电短路的可能性也增加。
技术实现思路
本专利技术构思提供了一种集成电路(IC)器件，其随着IC器件的尺寸缩小可以具有减小的(例如，小型化的)单位单元尺寸，并且可以减小在有限面积中形成的接触插塞和与接触插塞相邻的导电线之间的寄生电容，并减少相邻导电区之间电短路的可能性，以提高可靠性。根据本专利技术构思的一些实施例，提供了一种IC器件。IC器件可以包括衬底，衬底包括彼此间隔开的第一有源区和第二有源区。...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：/n衬底，包括彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；/n位线，在所述衬底上沿一水平方向延伸；/n直接接触部，连接在所述第一有源区与所述位线之间；/n接触插塞，在所述衬底上沿竖直方向延伸，所述接触插塞包括与所述位线相邻的上部以及与所述衬底中的所述第二有源区接触的下部；以及/n含硼绝缘图案，在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间。/n
【技术特征摘要】
20180813 KR 10-2018-00946131.一种集成电路器件，包括：
衬底，包括彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；
位线，在所述衬底上沿一水平方向延伸；
直接接触部，连接在所述第一有源区与所述位线之间；
接触插塞，在所述衬底上沿竖直方向延伸，所述接触插塞包括与所述位线相邻的上部以及与所述衬底中的所述第二有源区接触的下部；以及
含硼绝缘图案，在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述含硼绝缘图案包括介电常数为2至6的氮化硅硼SiBN膜。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，
其中，所述含硼绝缘图案包括SixByNz，
其中，0.1≤x≤0.5，0.1≤y≤0.5，并且0.1≤z≤0.8。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述接触插塞的下部和所述直接接触部都与所述含硼绝缘图案接触。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：绝缘区，在所述接触插塞的下部与所述含硼绝缘图案之间以及在所述直接接触部与所述含硼绝缘图案之间，
其中，所述绝缘区的介电常数低于所述含硼绝缘图案的介电常数。
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述绝缘区包括氧化硅膜、空气间隔物或其组合。
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述含硼绝缘图案掩埋在所述衬底中。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：所述位线的侧壁上的含硼绝缘围栏，
其中，所述含硼绝缘围栏中的硼含量朝向所述位线增大。
9.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：在所述含硼绝缘图案上在所述接触插塞与所述位线之间的第一绝缘间隔物和第二绝缘间隔物，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物包括不同的相应材料，
其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物中的每一个不含硼。
10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物中的每一个与所述位线平行地延伸。
11.根据权利要求9所述的集成电路器件，还包括：在所述衬底上沿竖直方向延伸的绝缘围栏，所述绝缘围栏在所述水平方向上与所述接触插塞对齐，
其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物在所述位线与所述绝缘围栏之间延伸。
12.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物中的每一个围绕所述接触插塞的周边。
13.根据权利要求9所述的集成电路器件，还包括：在所述衬底上沿竖直方向延伸的绝缘围栏，所述绝缘围栏在所述水平方向上与所述接触插塞对齐，
其中，所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物在所述接触插塞与所述绝缘围栏之间延伸。
14.根据权利要求13所述的集成电路器件，还包括：所述位线与所述绝缘围栏之间的含硼绝缘围栏。
15.一种集成电路器件，包括：
衬底，包括彼此间隔开的多个有源区；
位线，在所述衬底上沿一水平方向延伸；
多个接触插塞，在所述衬底上沿与所述位线平行的水平线彼此间隔开；
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李东阁，孙渊豪，李梦燮，李昱烈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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