一种SiP封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种SiP封装结构，包括：塑封层；第一芯片，所述第一芯片的背面和侧面被所述塑封层包覆；金属化凹槽，所述金属化凹槽的侧面被所述塑封层包覆；第二芯片，所述第二芯片设置在所述金属化凹槽内部；重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述塑封层的底面，电连接所述第一芯片和所述第二芯片；以及外接焊球，所述外接焊球电连接所述重新布局布线层。

A sip packaging structure and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种SiP封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种含有功率芯片的SiP封装结构及其制备方法。
技术介绍
在射频微波/毫米波SiP(SysteminPackage；系统级封装)封装中，功率芯片/功率器件(砷化镓等三五族材料制备的高电压和或大电流的芯片/器件)需要通过封装形式将背金面引出，一方面是为了满足背金面接地需求，另一方面是为了满足芯片散热需求。由于功率芯片的制备工艺限制，其厚度一般在80-100微米，封装厚度一般在200微米以上，所以芯片背金引出需要做厚度补偿。目前SiP封装中功率芯片背金引出技术是将功率芯片(如GaAs、SiC和GaN等)与其热膨胀系数相匹配的金属热沉材料(如WCu、MoCu等)采用共晶焊接，实现功率芯片厚度补偿满足接地引出和散热需求，且SiP封装体需在正面和背面做RDL，图1示出现有的含功率芯片的SiP封装示意图，如图1所示，功率芯片140通过共晶焊接与金属热沉材料150结合，再与其他芯片120、130一同塑封到塑封层110中，在塑封层110的正面制作重新布局布线170及外接焊球180本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiP封装结构，包括：/n塑封层；/n第一芯片，所述第一芯片的背面和侧面被所述塑封层包覆；/n金属化凹槽，所述金属化凹槽的侧面被所述塑封层包覆；/n第二芯片，所述第二芯片设置在所述金属化凹槽内部；/n重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述塑封层的底面，电连接所述第一芯片和所述第二芯片；以及/n外接焊球，所述外接焊球电连接所述重新布局布线层。/n

【技术特征摘要】
1.一种SiP封装结构，包括：
塑封层；
第一芯片，所述第一芯片的背面和侧面被所述塑封层包覆；
金属化凹槽，所述金属化凹槽的侧面被所述塑封层包覆；
第二芯片，所述第二芯片设置在所述金属化凹槽内部；
重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述塑封层的底面，电连接所述第一芯片和所述第二芯片；以及
外接焊球，所述外接焊球电连接所述重新布局布线层。


2.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述第一芯片具有M个，其中M≥2。


3.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述还包括设置在所述金属化凹槽背面或侧面的天线。


4.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述金属化凹槽具有射频输入输出接口。


5.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述金属化凹槽的背面被所述塑封层包覆。


6.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述金属化凹槽的材质可为高导热性热沉金属材料或表面金属化的硅或表...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丰满，丁飞，曹立强，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32