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本发明公开了一种SiP封装结构,包括:塑封层;第一芯片,所述第一芯片的背面和侧面被所述塑封层包覆;金属化凹槽,所述金属化凹槽的侧面被所述塑封层包覆;第二芯片,所述第二芯片设置在所述金属化凹槽内部;重新布局布线层,所述重新布局布线层设置在所述...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种SiP封装结构,包括:塑封层;第一芯片,所述第一芯片的背面和侧面被所述塑封层包覆;金属化凹槽,所述金属化凹槽的侧面被所述塑封层包覆;第二芯片,所述第二芯片设置在所述金属化凹槽内部;重新布局布线层,所述重新布局布线层设置在所述...