三维集成电路电源网与其形成方法技术

本揭露是关于一种三维集成电路电源网与其形成方法。一种三维集成电路电源网，其包括第一集成电路晶粒、第二集成电路晶粒、界面以及电力分配结构。界面可配置于第一集成电路晶粒与第二集成电路晶粒之间。电力分配结构可连接至界面。电力分配结构可包含至少一硅导孔以及连接所述至少一硅导孔的阶梯结构。

Three dimensional integrated circuit power supply network and its forming method

【技术实现步骤摘要】
三维集成电路电源网与其形成方法
本揭露是关于一种集成电路电源网与其形成方法。
技术介绍
一个垂直堆叠集成电路会将多个半导体晶粒堆叠于彼此之上，并利用例如硅导孔(Through-SiliconVias,TSVs)来垂直互连。相较于由单一集成电路构成的装置，垂直堆叠集成电路可以有相同的表现且具有较小的覆盖率(foorprint)。在一些情况中，半导体晶粒上的电路所用的电力会随时间改变。此外，当电源供应器提供的信号被一半导体晶粒上的电路接收时，电源供应器所提供的信号会有损耗(亦即电压损耗)。电压损耗的发生可至少起因于信号自电源供应器传输至电路中导电路径的电阻。
技术实现思路
本揭露的一实施例提供了一种三维集成电路电源网，包含一第一集成电路晶粒、一第二集成电路晶粒、一界面(interface)以及一电力分配结构。第二集成电路晶粒堆叠于第一集成电路晶粒。界面配置于第一集成电路晶粒以及第二集成电路晶粒之间，且电力分配结构连接界面。电力分配结构包括至少一硅导孔以及连接至硅导孔的阶梯结构。本揭露的一实施例揭露了一种三维集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维集成电路电源网，其特征在于，包含：/n一第一集成电路晶粒；/n一第二集成电路晶粒，堆叠于该第一集成电路晶粒；/n一界面，配置于该第一集成电路晶粒以及该第二集成电路晶粒之间；以及/n一电力分配结构，连接该界面，该电力分配结构包括：/n至少一硅导孔；以及/n一阶梯结构，连接至该至少一硅导孔。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,718;20190719 US 16/516,9661.一种三维集成电路电源网，其特征在于，包含：
一第一集成电路晶粒；
一第二集成电路晶粒，堆叠于该第一集成电路晶粒；
一界面，配置于该第一集成电路晶粒以及该第二集成电路晶粒之间；以及
一电力分配结构，连接该界面，该电力分配结构包括：
至少一硅导孔；以及
一阶梯结构，连接至该至少一硅导孔。


2.根据权利要求1所述的三维集成电路电源网，其特征在于，其中该界面包括：
多个复合层接脚，对应该第二集成电路晶粒；
多个复合层凸块，对应该第一集成电路晶粒；以及
多个顶部金属垂直元件，对应该第一集成电路晶粒。


3.根据权利要求1所述的三维集成电路电源网，其特征在于，其中一第三集成电路晶粒连接该界面。


4.一种三维集成电路电源网，其特征在于，包含：
一第一集成电路晶粒；
一第二集成电路晶粒，以面对面的配置方式堆叠于该第一集成电路晶粒；
一界面，配置于该第一集成电路晶粒以及该第二集成电路晶粒之间；以及
一电力分配结构，连接该界面，其中该电力分配结构穿过该第一集成电路晶粒，该电力分配结构包括：
至少一硅导孔；以及
一阶梯结构，连接该至少一硅导孔，其中该阶梯结构包括由多个垂直元件连接的多个水平...

【专利技术属性】
技术研发人员：诺·穆罕默德·艾杜维蒂尔，张丰愿，黄博祥，刘钦洲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71