对接接触结构制造技术

提供一种对接接触结构。在一实施例中，结构包含位于基底上的第一晶体管，第一晶体管包含第一源极或漏极区域、第一栅极、以及设置于第一栅极和第一源极或漏极区域之间的第一栅极间隔物。此结构包含位于基底上的第二晶体管，第二晶体管包含第二源极或漏极区域、第二栅极、以及设置于第二栅极和第二源极或漏极区域之间的第二栅极间隔物。此结构包含对接接触件，设置于第一源极或漏极区域上方并从第一源极或漏极区域延伸至第一栅极或第二栅极的至少之一，第一栅极间隔物的一部分延伸一距离至对接接触件中以隔开对接接触件的第一底表面与对接接触件的第二底表面。

【技术实现步骤摘要】
对接接触结构
本专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法，且特别涉及对接接触结构及其制造方法。
技术介绍
接触件(contact)通常是形成于集成电路中的垂直金属内连接结构，其将半导体装置的各种元件(例如主动区域和栅极电极)与内连线金属层连接。形成于半导体基底中的各个半导体装置通过接触件而与彼此电耦合，以形成功能性集成电路。随着半导体工业已发展到纳米技术制程节点，例如5纳米节点，为追求更高的装置密度而产生了新的挑战。因此，需要改良的接触结构和方法。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，提供一种对接接触结构，包含：第一晶体管，位于基底上，第一晶体管包含第一源极或漏极区域、第一栅极、以及设置于第一栅极和第一源极或漏极区域之间的第一栅极间隔物；第二晶体管，位于基底上，第二晶体管包含第二源极或漏极区域、第二栅极、以及设置于第二栅极和第二源极或漏极区域之间的第二栅极间隔物；以及对接接触件，设置于第一源极或漏极区域上方并从第一源极或漏极区域延伸至第一栅极或第二栅极的至少之一，第一栅极间隔物的一部分延伸一距离至对接接触件中以隔开对接接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对接接触结构，包括：/n一第一晶体管，位于一基底上，该第一晶体管包括一第一源极或漏极区域、一第一栅极、以及设置于该第一栅极和该第一源极或漏极区域之间的一第一栅极间隔物；/n一第二晶体管，位于该基底上，该第二晶体管包括一第二源极或漏极区域、一第二栅极、以及设置于该第二栅极和该第二源极或漏极区域之间的一第二栅极间隔物；以及/n一对接接触件，设置于该第一源极或漏极区域上方并从该第一源极或漏极区域延伸至该第一栅极或该第二栅极的至少之一，该第一栅极间隔物的一部分延伸一距离至该对接接触件中以隔开该对接接触件的一第一底表面与该对接接触件的一第二底表面。/n

【技术特征摘要】
20180711 US 16/032,3901.一种对接接触结构，包括：
一第一晶体管，位于一基底上，该第一晶体管包括一第一源极或漏极区域、一第一栅极、以及设置于该第一栅极和该第一源极或漏极区域之间的一第一栅极间隔物；
一第二晶体管，位于该基底上，该第二晶体管包括一第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐永昌，潘昇良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71