【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月13日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0081443的优先权，其全部公开通过引用合并于此。
本专利技术构思涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
在开发在单个半导体封装中安装多个半导体芯片的三维(3D)封装时，可以使用硅通孔(TSV)结构来将半导体芯片彼此可通信地连接。TSV结构可以穿透衬底或管芯以竖直地形成半导体芯片之间的电连接。TSV结构的形成可能导致应力施加到附近区域。因此，在距TSV结构一定距离处形成半导体图案。这样，半导体图案可以免受这种应力的影响。半导体图案和TSV结构之间的区域可以称为排除区。如果可以最小化排除区的尺寸，则可以提高半导体器件的性能和效率。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种半导体器件，包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞，其中，通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至-100MPa。根据本专利技术构思的示例性...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n通孔，穿透所述衬底；/n通孔绝缘膜，沿着所述通孔的内壁形成；以及/n芯塞，填充所述通孔，/n其中，所述通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至-100MPa。/n
【技术特征摘要】
20180713 KR 10-2018-00814431.一种半导体器件，包括：
衬底；
通孔，穿透所述衬底；
通孔绝缘膜，沿着所述通孔的内壁形成；以及
芯塞，填充所述通孔，
其中，所述通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至-100MPa。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔绝缘膜包括氧化硅膜或氮氧化硅膜。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述通孔绝缘膜中O-H键和Si-O键的比率为2至13。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括Si。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔绝缘膜的硬度为5.0至7.2。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述残余应力通过拉曼光谱测量。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
阻挡金属，形成在所述通孔绝缘膜和所述芯塞之间。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述阻挡金属包括W、WN、WC、Ti、TiN、Ta、TaN、Ru、Co、Mn、WN、Ni或NiB。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔绝缘膜沿着所述通孔的内壁共形地形成。
10.一种半导体器件，包括：
封装衬底；
第一半导体衬底，堆叠在所述封装衬底上；以及
第一硅通孔TSV结构，穿透所述第一半导体衬底并电连接到所述封装衬底，所述第一TSV结构包括穿透所述第一半导体衬底的第一穿透通孔、沿着所述第一穿透通孔的内壁形成的第一通孔绝缘膜以及填充所述第一穿透通孔的第一芯塞，
其中，所述第一通孔绝缘膜中O-H键和Si-O键的比率为2至13。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
第二半导体衬底，堆叠在所述第一半导体衬底上；以及
第二TSV结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：任京彬，金圣协，金孝柱，李镐昌，罗正玟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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