半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装制造技术

一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊盘和重布线。半导体基板包括作为有源表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面。贯通电极穿透半导体基板并且在半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列。中间焊盘在第二表面的边缘部分中设置成沿第一方向的至少一列。上焊盘设置在第二表面上并连接到贯通电极。重布线设置在第二表面上并将中间焊盘连接到上焊盘。

Semiconductor chip and semiconductor package including semiconductor chip

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月9日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0079578的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。
本专利技术构思的示例性实施例涉及半导体封装，具体地，涉及具有其中将半导体芯片堆叠在印刷电路板(PCB)上的结构的半导体封装。
技术介绍
随着电子设备的进步，电子设备变得越来越小并且越来越轻。因此，电子设备中使用的半导体封装也必须变得更小和更轻，同时仍然保持高可靠性、高性能和高容量。半导体芯片通常安装在印刷电路板(PCB)上的半导体封装中，并且使用接合线或连接构件电连接到PCB。当需要大容量时，半导体封装可以利用堆叠结构，在堆叠结构中多个半导体芯片堆叠并安装在PCB上。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施例提供了一种具有大容量并且能够保持具有高速度和高可靠性的信号特性的半导体芯片以及包括该半导体芯片的半导体封装。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片，包括：/n半导体基板，包括作为有源表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n贯通电极，穿透所述半导体基板并且在所述半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列；/n中间焊盘，在所述第二表面的边缘部分中设置成沿所述第一方向的至少一列；/n上焊盘，设置在所述第二表面上并连接到所述贯通电极；以及/n重布线，设置在所述第二表面上并将所述中间焊盘连接到所述上焊盘。/n

【技术特征摘要】
20180709 KR 10-2018-00795781.一种半导体芯片，包括：
半导体基板，包括作为有源表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
贯通电极，穿透所述半导体基板并且在所述半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列；
中间焊盘，在所述第二表面的边缘部分中设置成沿所述第一方向的至少一列；
上焊盘，设置在所述第二表面上并连接到所述贯通电极；以及
重布线，设置在所述第二表面上并将所述中间焊盘连接到所述上焊盘。


2.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中，所述中间焊盘的所述至少一列的数量等于设置在所述半导体基板上的附加半导体芯片的数量，
其中，设置有所述中间焊盘的区域在所述第一方向上被划分成第一区域和第二区域，
设置有所述上焊盘的区域在所述第一方向上被划分成与所述第一区域对应的第三区域和与所述第二区域对应的第四区域，
其中，所述第一区域中的所述中间焊盘通过所述重布线连接到所述第三区域中的所述上焊盘，并且所述第二区域中的所述中间焊盘通过所述重布线连接到所述第四区域中的所述上焊盘，
其中，设置在所述第一区域中的所述中间焊盘被配置为传送数据信号，并且设置在所述第二区域中的所述中间焊盘被配置为传送命令和地址信号。


3.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括：
设置在所述半导体基板上的控制区或单元区中的至少一个。


4.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括：
布线层，设置在所述第一表面上；以及
连接构件，设置在所述布线层的底表面上，
其中，所述贯通电极通过所述布线层连接到所述连接构件。


5.一种半导体封装，包括：
封装基板；
外部连接端子，设置在所述封装基板的底表面上；
第一半导体芯片，设置在所述封装基板上，其中，所述第一半导体芯片包括作为有源表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述第一半导体芯片包括：
贯通电极，设置在所述第一半导体芯片的中心部分中；以及
中间焊盘，设置在所述第一半导体芯片的第二表面的边缘部分中；
至少一个第二半导体芯片，设置在所述第一半导体芯片上，
其中，所述至少一个第二半导体芯片包括与所述第一半导体芯片的第二表面面向相同方向的有源表面，以及设置在所述至少一个第二半导体芯片的所述有源表面上的芯片焊盘，
其中，所述中间焊盘被暴露出来；以及
重布线，设置在所述第一半导体芯片的第二表面上，
其中，所述芯片焊盘通过布线连接到所述中间焊盘，所述中间焊盘通过所述重布线连接到所述贯通电极，并且所述贯通电极连接到所述外部连接端子。


6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片还包括：
上焊盘，设置在所述第一半导体芯片的中心部分中的所述第二表面上并连接到所述贯通电极，
其中，所述重布线将所述中间焊盘连接到所述上焊盘。


7.根据权利要求6所述的半导体封装，
其中，所述中间焊盘是多个中间焊盘中的一个中间焊盘，
其中，设置有所述多个中间焊盘的区域在第一方向上被划分成第一区域和第二区域，
其中，所述多个中间焊盘中被配置为传送数据信号的第一组中间焊盘设置在所述第一区域中，并且所述多个中间焊盘中被配置为传送命令和地址信号的第二组中间焊盘设置在所述第二区域中。


8.根据权利要求7所述的半导体封装，
其中，设置有所述上焊盘的区域在所述第一方向上被划分成与所述第一区域对应的第三区域和与所述第二区域对应的第四区域，
其中，设置有所述外部连接端子的区域在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上被划分成与所述第一区域对应的第五区域和与所述第二区域对应的第六区域。


9.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，设置有所述外部连接端子的区域根据所传输的信号的类型被划分成两个区域。


10.根据权利要求5所述的半导体封装，
其中，所述中间焊盘是设置成沿第一方向的至少一列的多个中间焊盘中的一个中间焊盘，并且所述贯通电极是设置成沿所述第一方向的至少一列的多个贯通电极中的一个贯通电极，
其中，所述多个中间焊盘的列数等于所述至少一个第二半导体芯片的数量。


11.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片包括控制区或单元区中的至少一个。


12.根据权利要求5所述的半导体封装，还包括：
支撑芯片，设置在所述至少一个第二半导体芯片和所述封装基板之间，
其中，所述第一半导体芯片小于所述至少一个第二半导体芯片。


13.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片还包括：
半导体基板；
布线层，设置在所述半导体基板的底表面上；以及
连接构件，设置在所述布线层的底表面上，
其中，所述半导体基板的底表面对应于所述第一半导体芯片的第一表面，并且所述贯通电极穿透所述半导体基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炅洙，白承德，姜善远，宋昊建，张根豪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR