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提供一种对接接触结构。在一实施例中，结构包含位于基底上的第一晶体管，第一晶体管包含第一源极或漏极区域、第一栅极、以及设置于第一栅极和第一源极或漏极区域之间的第一栅极间隔物。此结构包含位于基底上的第二晶体管，第二晶体管包含第二源极或漏极区域、...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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