半导体结构的形成方法技术

本公开提供半导体结构的形成方法。本公开提供多层内连线系统中的金属间介电层，其采用的低介电常数的介电材料与其化学与物理特性的形成方法。此处所述的沉积技术包括等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积工艺，其前驱物如四乙氧基硅烷及二乙氧基甲基硅烷可提供必要的氧原子，而可不采用氧气作为反应物之一。所述的沉积技术可还包含采用氧气的等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积，其采用的前驱物可含有埋置的硅‑氧‑硅键如(CH

The formation of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本公开实施例关于内连线结构，更特别关于金属间介电层的组成与其形成方法。
技术介绍
半导体产业持续创新半导体技术，比如减少结构(如线路、空间、与孔洞)的最小尺寸的多重图案化、三维晶体管(如鳍状场效晶体管)、更多内连线层、与埋置于半导体基板上堆叠的内连线系统中的电子构件，以增加集成电路中的电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)与内连线结构(如接点、通孔、线路、接合垫、或类似物)的密度。缩小尺寸可增加电子构件的固有速度，且可由任何给定的成本实施较高的集成电路功能。然而缩小尺寸通常具有新挑战如隔离、漏电流、可信度、寄生串联电阻、与寄生耦合电阻。
技术实现思路
本公开一实施例提供的半导体结构的形成方法，包括：形成导电单元于基板上的介电层中；沉积介电材料于导电单元上，且沉积介电材料的步骤包括：将基板置入工艺腔室；将第一前驱物导入工艺腔室，且第一前驱物包括硅原子与氧原子；以及将第二前驱物导入工艺腔室，以反应形成介电材料，第二前驱物包括碳氢化合物，其中沉积介电材料的步骤不含气态氧；移除介电材料的一部分，以露本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n形成一导电单元于一基板上的一介电层中；/n沉积一介电材料于该导电单元上，且沉积该介电材料的步骤包括：/n将该基板置入一工艺腔室；/n将一第一前驱物导入该工艺腔室，且该第一前驱物包括硅原子与氧原子；以及/n将一第二前驱物导入该工艺腔室，以反应形成该介电材料，该第二前驱物包括碳氢化合物，其中沉积该介电材料的步骤不含气态氧；/n移除该介电材料的一部分，以露出该导电单元；以及/n形成一接点穿过该介电材料至该导电单元。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,345;20190621 US 16/449,1601.一种半导体结构的形成方法，包括：
形成一导电单元于一基板上的一介电层中；
沉积一介电材料于该导电单元上，且沉积该介电材料的步骤包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘中伟，柯宇伦，邱意为，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71