半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其制造方法。方法包括以下步骤：在基板上形成沿第一方向延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上方形成第一层间介电层。形成横跨半导体鳍片并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极堆叠。在第一层间介电层上形成具有第一开口的图案化遮罩。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉积速率的沉积制程在第一开口中形成保护层。在形成保护层之后，第一开口在第二方向上延伸。第二开口形成在第一层间介电层中并且在延伸的第一开口下方。在第二开口中形成导电材料。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本揭露有关于半导体装置及其制造方法。
技术介绍
集成电路的制造受驱使于半导体装置中集成电路(integratedcircuit,IC)密度的增加。其实现是透过建置更积极的设计规则以允许形成更大密度的集成电路装置。尽管如此，集成电路装置(例如，晶体管)的密度增加也增加了处理具有减小的特征尺寸的半导体装置的复杂性。
技术实现思路
本揭露的一实施例包括一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤。形成半导体鳍片于基板上。半导体鳍片沿第一方向延伸。形成源极/漏极区域于半导体鳍片上并且形成第一层间介电层于源极/漏极区域上。形成栅极堆叠横跨于半导体鳍片上，栅极堆叠在实质上垂直于第一方向的第二方向上延伸。形成图案化遮罩，图案化遮罩在第一层间介电层上具有第一开口。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉积速率的沉积制程在第一开口中形成保护层。在形成保护层之后，在第二方向延伸第一开口。形成第二开口于第一层间介电层中和延伸的第一开口下方。形成导电材料于第二开口中。本揭露的另一实施例包括一种半导体装置的制造方法，包括以下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：/n形成一半导体鳍片于一基板上，该半导体鳍片沿一第一方向延伸；/n形成一源极/漏极区域于该半导体鳍片上并且形成一第一层间介电层于该源极/漏极区域上；/n形成一栅极堆叠横跨于该半导体鳍片上，该栅极堆叠沿实质上垂直于该第一方向的一第二方向延伸；/n形成一图案化遮罩，该图案化遮罩在该第一层间介电层上具有一第一开口；/n使用在该第一方向上比在该第二方向上具有更快沉积速率的一沉积制程在该第一开口中形成一保护层；/n在形成该保护层之后，在该第二方向延长该第一开口；/n形成一第二开口于该第一层间介电层中并于延长的该第一开口下；以及/n形成一导电材料于该第二开口...

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,830;20190225 US 16/285,0521.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
形成一半导体鳍片于一基板上，该半导体鳍片沿一第一方向延伸；
形成一源极/漏极区域于该半导体鳍片上并且形成一第一层间介电层于该源极/漏极区域上；
形成一栅极堆叠横跨于该半导体鳍片上，该栅极堆叠沿实质上垂直于该第一方向的一第二方向延伸；
形成一图案化遮罩，该图案化遮罩在该第一层间介电层上具有一第一开口；
使用在该第一方向上比在该第二方向上具有更快沉积速率的一沉积制程在该第一开口中形成一保护层；
在形成该保护层之后，在该第二方向延长该第一开口；
形成一第二开口于该第一层间介电层中并于延长的该第一开口下；以及
形成一导电材料于该第二开口中。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中延长该第一开口包含一蚀刻制程，并且该蚀刻制程在该第二方向上具有比在该第一方向上更快的一蚀刻速率。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在相同的一电浆工具中执行该保护层的形成和该第一开口的延长。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：
在形成该图案化遮罩之前，形成一蚀刻停止层以覆盖该第一层间介电层。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：
在形成该第一层间介电层之前，在该源极/漏极区域上形成一第二层间介电层；以及
在形成该第一层间介电层之前，在该第二层间介电层中形成一源极/漏极接触，其中在该第一层间介电层中形成该第二开口，使得该源...

【专利技术属性】
技术研发人员：张博钦，林立德，林斌彦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71