用于形成半导体的方法以及半导体器件技术

本公开涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。一种方法包括在多个半导体鳍上形成栅极堆叠。该多个半导体鳍包括多个内部鳍，以及位于该多个内部鳍的相对侧上的第一外部鳍和第二外部鳍。基于该多个半导体鳍生长外延区域，并且沿着第一外部鳍的外部侧壁测量的外延区域的第一高度小于沿着第一外部鳍的内部侧壁测量的外延区域的第二高度。

Methods for forming semiconductors and semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
用于形成半导体的方法以及半导体器件
本公开一般地涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。
技术介绍
集成电路(IC)材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数目)通常增加，而几何尺寸减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，已经引入鳍式场效应晶体管(FinFET)来代替平面晶体管。正在开发FinFET的结构和制造FinFET的方法。FinFET基于半导体鳍而形成。可以通过在栅极的相对侧上刻蚀半导体鳍的一些部分，并然后在由半导体鳍的刻蚀部分留下的空间中生长适当的材料来形成FinFET的源极和漏极区域。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种用于形成半导体的方法，包括：在块半导体衬底上方形成隔离区域；凹陷所述隔离区域，其中，所述隔离区域之间的半导体条带的顶部部分突出高于所述隔离区域的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成半导体的方法，包括：/n在块半导体衬底上方形成隔离区域；/n凹陷所述隔离区域，其中，所述隔离区域之间的半导体条带的顶部部分突出高于所述隔离区域的顶表面以形成鳍组，并且所述鳍组包括：/n多个内部鳍；以及/n第一外部鳍和第二外部鳍，位于所述多个内部鳍的相对侧上；以及/n在所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍的侧壁上形成鳍间隔件，其中，所述鳍间隔件包括：/n外部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的外部侧壁上，其中，所述外部侧壁背离所述鳍组，并且所述外部鳍间隔件具有第一高度；以及/n内部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的内部侧壁上，其中，所述内部侧壁面向所述多个内部鳍，并且所述内部鳍间...

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,402;20181101 US 16/177,8891.一种用于形成半导体的方法，包括：
在块半导体衬底上方形成隔离区域；
凹陷所述隔离区域，其中，所述隔离区域之间的半导体条带的顶部部分突出高于所述隔离区域的顶表面以形成鳍组，并且所述鳍组包括：
多个内部鳍；以及
第一外部鳍和第二外部鳍，位于所述多个内部鳍的相对侧上；以及
在所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍的侧壁上形成鳍间隔件，其中，所述鳍间隔件包括：
外部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的外部侧壁上，其中，所述外部侧壁背离所述鳍组，并且所述外部鳍间隔件具有第一高度；以及
内部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的内部侧壁上，其中，所述内部侧壁面向所述多个内部鳍，并且所述内部鳍间隔件具有小于所述第一高度的第二高度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一高度比所述第二高度大，高度差大于2nm。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部鳍间隔件和所述内部鳍间隔件以共同的工艺形成。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括形成栅极堆叠，其中，所述栅极堆叠在所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍中的每一项的侧壁和顶部表面上延伸。


5.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件，其中，所述栅极间隔件和所述鳍间隔件以共同的形成工艺形成。


6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玉莲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71