切割鳍隔离区域及其形成方法技术

本公开涉及切割鳍隔离区域及其形成方法。一种方法包括形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍。隔离区域包括在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的部分。该方法还包括形成跨第一半导体鳍和第二半导体鳍上方的栅极堆叠，刻蚀栅极堆叠的一部分以形成开口，其中，隔离区域的该部分、第一半导体鳍和第二半导体鳍暴露于开口，刻蚀第一半导体鳍、第二半导体鳍和隔离区域的该部分，以将开口延伸到隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中，以及用电介质材料填充开口以形成切割鳍隔离区域。

Separation area of cutting fin and its forming method

【技术实现步骤摘要】
切割鳍隔离区域及其形成方法
本公开总体涉及一种切割鳍隔离区域及其形成方法。
技术介绍
集成电路(IC)材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数目)通常增加，而几何尺寸减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，已经引入鳍式场效应晶体管(FinFET)来代替平面晶体管。正在开发FinFET的结构和制造FinFET的方法
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种用于半导体工艺的方法，包括形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍，其中，隔离区域包括：第一部分，该第一部分在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间；形成跨第一半导体鳍和第二半导体鳍上方的栅极堆叠；刻蚀栅极堆叠的第一部分以形成开口，其中，隔离区域的第一部分、第一半导体鳍和第二半导体鳍暴露于开口；刻蚀第一半导体鳍、第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体工艺的方法，包括：/n形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍，其中，所述隔离区域包括：/n第一部分，所述第一部分在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；/n形成跨所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍上方的栅极堆叠；/n刻蚀所述栅极堆叠的第一部分以形成开口，其中，所述隔离区域的所述第一部分、所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍暴露于所述开口；/n刻蚀所述第一半导体鳍、所述第二半导体鳍和所述隔离区域的所述第一部分，以将所述开口延伸到所述隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中；以及/n用电介质材料填充所述开口以形成切割鳍隔离区域。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,330;20181005 US 16/153,0261.一种用于半导体工艺的方法，包括：
形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍，其中，所述隔离区域包括：
第一部分，所述第一部分在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；
形成跨所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍上方的栅极堆叠；
刻蚀所述栅极堆叠的第一部分以形成开口，其中，所述隔离区域的所述第一部分、所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍暴露于所述开口；
刻蚀所述第一半导体鳍、所述第二半导体鳍和所述隔离区域的所述第一部分，以将所述开口延伸到所述隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中；以及
用电介质材料填充所述开口以形成切割鳍隔离区域。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀穿过所述隔离区域的所述第一部分以露出所述半导体衬底的主体部分。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，当刻蚀所述隔离区域的所述第一部分时，刻蚀所述隔离区域的第二部分，并且所述隔离区域的所述第二部分在包括所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍二者的组合区域的相反两侧上。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀所述第一半导体鳍、所述第二半导体鳍和所述隔离区域的所述第一部分包括：
执行第一刻蚀步骤以凹陷所述隔离区域的所述第一部分；
执行第二刻蚀步骤以刻蚀所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍；并且
执行第三刻蚀步骤以完全移除所述隔离区域的所述第一部分。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第一刻蚀步骤中，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍基本上未被刻蚀，并且在所述第二刻蚀步骤中，所述隔离区域的所述第一部分的剩余部分基本上未被刻蚀。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王祥保，殷立炜，徐绍华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71